一、硅锗二极管正向压降
在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压。
小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V
二、硅锗二极管分别适合什么场合
锗是一种重要的半导体材料，具有多种在电子器件中的应用。以下是锗在半导体上的几种常见应用：
1. 锗晶体管：锗晶体管是早期电子技术中使用的一种晶体管。与硅晶体管相比，锗晶体管对温度更加敏感，但在高频率应用中具有较好的性能。尽管锗晶体管逐渐被硅晶体管取代，但仍然在一些特定领域有应用。
2. 锗红外探测器：锗在红外光谱范围内具有良好的吸收性能，因此常用于红外探测器的制造。锗红外探测器在热成像、红外摄影等领域有广泛应用。
3. 锗光电二极管：锗光电二极管可以将光信号转换为电信号。它们常用于光通信系统、光测量和光谱分析等应用中。
4. 锗太阳能电池：锗太阳能电池是一种利用光电效应将太阳能转化为电能的装置。由于锗具有良好的光吸收能力，锗太阳能电池在高温和高辐射环境下具有优良的性能。
5. 锗传感器：由于锗对于离子辐射（如γ射线）具有敏感性，因此在核工业和医学领域中，锗传感器被用于辐射监测和探测。
需要注意的是，随着硅技术的发展，锗的应用逐渐减少，但在特定的应用领域仍然具有一定的价值。
三、硅锗二极管的死区电压
二极管死区电压应该是0.7Ⅴ
四、硅锗二极管伏安特性曲线图
伏安特性曲线直观地显示了加在二极管两端电压与电流的关系，有了电压与电流的关系曲线那么曲线上任意一点坐标x与y的比值即反映出二极管内阻的变化。
五、硅锗二极管的特性比较
硅材料二极管:导通电压约0.5~0.7V,温度升高后正向压降降低,反向电流增加. 锗材料二极管:导通电压约0.1~0.3V,温度升高后正向压降降低,反向电流增加. 二极管主要功能是其单向导通.有高低频之分,还有快恢复与慢恢复之分,特殊的:娈容二极管,稳压二极管,隧道二极管，发光二极管，激光二极管，光电接收二极管，金属二极管（肖特基），，， 用途：检波，整流，限幅，吸收（继电器驱动电路），逆程二极管（电视行输出中）
六、硅锗二极管伏安特性曲线区别
硅二极管伏安特性曲线工作特点为正向特性、死区特性和反向特性，硅管死区特性导通电压大约为0.7伏，正问特性时硅二极管电流随其两端电压呈指数规律变化。