一、快恢复二极管在电路中的作用
超快恢复二极管（简称fred）是一种具有开关特性好、反向恢复时间超短的半导体二极管，常用来给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器，使开关器件的功能得到充分发挥。超快恢复二极管是用电设备高频化（20khz以上）和高频设备固态化发展不可或缺的重要器件。
中文名
超快恢复二极管
外文名
fred
产品类型
半导体二极管
快速
导航
特点
应用
作用
因为随着装置工作开关频率的提高，若没有fred给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器，那么igbt、功率mosfet等开关器件就不能发挥其功能和独特作用，这是由fred关断特性参数（反向恢复时间t、反向恢复电荷q、反向峰值电流i ）的作用所致。最佳参数的fred与高频开关器件协调工作，使高频逆变电路内因开关器件换相所引起的过电压尖峰、高频干扰电压及emi降至最低，使开关器件的功能得到充分发挥。
特点
超快恢复时间 大电流能力 高抗浪涌电流能力 低正向压降 低反向漏电流
应用
随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展，fred作为一种高频器件也得到蓬勃发展，现已广泛用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内，起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用，这对发展我国高频逆变焊机、高频开关型电镀电源、高频高效开关电源、高频快速充电电源、高频变频装置及功率因数校正装置等将起到推动作用。这些高效、节能、节电和节材，并能提高产品质量和劳动生产率的高频逆变装置将逐步替代正在大量生产、体积庞大、效率低和对电网污染严重的晶闸管工频电源,对加速我国电力电子产品的更新换代周期将起到决定性作用。
二、快恢复二极管工作原理
区别：
快恢复二极管：正向压降高于普通二极管（0.5-2V），反向耐压多在1200V以 下。
普通二极管：具有正向压降低（0.4--1.0V）、反向恢复时间很短（2-10ns纳秒），而且反向漏电 流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
快恢复二极管：
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
二极管是电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。
三、快恢复二极管能代替超快恢复二极管吗
肖特基二极管和快恢复二极管的区别在于，肖特基二极管的恢复时间比快恢复的要短一百倍左右。肖特基的反向恢复时间约为几纳秒，具有低功耗、大电流和超高速等特点。
快恢复具有更高的开关速度、更高的耐压、更小的反向漏电等优点，适用于更高电压、更高频率的场合。所以在需要MBR10100FCT肖特基二极管还是用快恢复二极管，大家要做好分辨。
四、快恢复二极管参数介绍
fr07二极管属于快恢复二极管FR607，其参数：GI, 6A, 1000V, 200ns。
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
五、快恢复二极管有什么作用
快恢复二极管在焊机电路中主要起到反向保护和降低开关损耗的作用，一般具有快速恢复、低正向压降、高反向击穿电压等特点。
如果焊机上的快恢复二极管MP80U40B坏了，可以使用同类型的快恢复二极管进行替换，如IRFP460、STTH8R06FP等，但需要注意电压电流参数和封装形式是否相同，以保证替换后焊机能够正常工作，并避免对其他电路产生影响。建议在替换时寻求专业技术人员的指导和帮助，以保证焊机的安全性和可靠性。
六、092-02快恢复二极管
快恢复二极管分立器件根据电压有以下等级： 200V快恢复二极管： HFD1020P 200 10 1.1 28 TO220 HFD1520P 200 15 1 25 TO220 HFD92-02AD1 200 20(10x2) 1.1 28 TO3P HFD92-02AD 200 30(15x2) 1 25 TO3P 300V快恢复二极管： HFD3030P 300 30 1.1 40 TO220 HFD4030P 300 40 1.1 40 TO220 HFD6030AD 300 60(30x2) 1.1 40 TO3P HFD8030AD 300 80(40x2) 1.1 40 TO3P 400V快恢复二极管： HFD4040ADU 400 40(20x2) 1.3 35 TO3P HFD8040AD 400 80(40x2) 1.2 45 TO3P HFD8040ADU 400 80(40x2) 1.4 35 TO3P HFD9040A 400 90 1.1 70 TO3P 600V快恢复二极管： HFD0860P 600 8 2.7 13 内绝缘 TO220 HFD1560P 600 15 1.4 35 TO220 HFD1560PU 600 15 2 28 TO220 HFD3060AD 600 30(15x2) 1.4 35 TO3P HFD3060ADU 600 30(15x2) 2 28 TO3P HFD6060H 600 60 1.4 45 TO247‐2L 1200V快恢复二极管： HFD8120P 1200 8 3.2 25 TO220 HFD15120P 1200 15 2.2 45 TO220 HFD30120P 1200 30 2.2 50 TO220 HFD30120H 1200 30 2.2 60 TO247‐2L HFD30120HU 1200 30 3.2 50 TO247‐2L HFD60120AD 1200 60(30x2) 2.5 50 TO3P HFD75120H 1200 75 2.6 75 TO247‐2L HFD75120HU 1200 75 3.2 65 TO247‐2L HFD100120H 1200 100 2.6 75 TO247‐2L
七、快恢复二极管可以替代普通二极管吗
可以，因为快恢复二极管具有开关特性好、反向恢复时间短、正向电流大等优点，可以用作高频、大电流的整流、续流二极管使用，我们的供应商凌讯电子，有做快恢复二极管和肖特基二极管这些半导体。
八、快恢复二极管用在哪里
肖特基二极管是属于低功耗、大电流、超高速的半导体器件，其特长是开关速度非常快，反向恢复时间可以小到几个纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安。所以适合在低电压、大电流的条件下工作，电脑主机电源的输出整流二极管就采用了肖特基二极管。
肖特基二极管是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺染剂的N一外延层。阳性（阻挡层）金属材料是钼。二氧化硅用来消除边缘区域电场，提高肖特基二极管的耐压值。N型基片掺杂浓度比N一层高100倍，具有很小的通态电阻。基片下部的N+阴极层用以减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基二极管。
快恢复二极管是近年来问世的新型半导体器件，它具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积较小、安装简便等优点。可作高频、大电流的整流、续流二极管，在开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间电源(UPS)、高频加热、交流电机变频调速等电子设备中得到了广泛的应用，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。
快恢复二极管的一个重要参数是反向恢复时间trr，其定义是：电流流过零点由正向转换成反向，再由反向转换到规定的值Irr时的时间间隔，它是衡量高频续流、整流器件性能的重要技术参数。
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降， 使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。