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俄罗斯三极管(苏联6n3c电子管参数?)

来源:www.haichao.net  时间:2023-02-16 09:56   点击:270  编辑:admin   手机版

一、苏联6n3c电子管参数?

苏联6n3c电子管属于旁热式氧化物阴极电子管,热丝电压6.3V,热丝电流0.9A,管内极间输入电容10uF,管内极间输出电容12uF,管内极间过渡电容0.4uF,最大屏极电压360V, 第二栅最大电压270V,屏极耗散功率19W,第二栅最大输入功率2.5W,阴极和热丝间最大电压180V,屏极电压250V,第二栅电压250V,第一栅电压-14V,屏极电阻22.5欧,跨导6mA/V,负荷电阻2.5欧。

二、6h3n电子管特点?

特点是,6h3n电子管音质非常的好,6H23п是双三极管电压放大管,是前苏联产品,它的管脚排列与性能6N2、6N1基本一致,美国的这种与其性能基本一样的还没有见过,如果找不到,何不用这两个管子试试,而且也容易找到。按电子管应用特性6H3П屏压较高,屏压较低,都是低噪声宽频带。

三、三极管介绍?

三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。

三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。

四、n95三极管参数?

n95三极管为内部屏蔽片接地,设计时一般接地。n92多用于高频领域(如电子管电视机的高频头部分),性能稳定耐用、输出电容相当小(只有1.4pF),两屏极间电容更小。

n95典型参数如下:屏压150V、屏流8mA、放大倍数35、S为4.8mA/V、灯丝电流0.35A(两组),对应的美国型号为2C51,也称5670,俄国型号为6H3N。

n95的典型参数为:屏压135V、内阻300欧、S为6.5mA/V、阳极最大耗散功率l3W,接近国产6NBP,国外型号为6080。

所以n95三极管参数是300欧

五、三极管的偏置电阻如何设置呢?

三极管一般为三种状态,截至,放大,饱和, 截止状态:当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态。

放大状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用 饱和导通状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。不难看出如果你只要你确定了工作电压,就可以算出偏置电阻的大小了。一般管子我们分A管和C管,即PNP,和NPN 9014是NPN型三极管只要在基极加零点几伏正电压,就可以工作,如果集电极是3.6v,基极电阻从几K到十几k,如果要精确最好加表用电位器到临界导通状态。三极管开关状态,基极电阻也是一样,要让三极管振荡最先也是要要让三极管导通-饱和导通-截至,最后两部是靠电路的反馈来完成,不知道你明白没有。电子元器件基础知识(4)——半导体器件 一、 中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号 例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 日本半导体分立器件型号命名方法 二、日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大,越是近期产品。第五部分: 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。美国半导体分立器件型号命名方法 三、美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。第二部分:用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下: 第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料 第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类。常见后缀如下: 1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围,字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后缀第二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值;后缀的第三部分是字母V,代表小数点,字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。2、整流二极管后缀是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏特。3、晶闸管型号的后缀也是数字,通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如:BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管,AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法 欧洲有些国家,如德国、荷兰采用如下命名方法。第一部分:O-表示半导体器件 第二部分:A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。第三部分:多位数字-表示器件的登记序号。第四部分:A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少,在此不介绍。

六、n95贴片三极管参数?

n95三极管为内部屏蔽片接地,设计时一般接地。n92多用于高频领域(如电子管电视机的高频头部分),性能稳定耐用、输出电容相当小(只有1.4pF),两屏极间电容更小。

n95典型参数如下:屏压150V、屏流8mA、放大倍数35、S为4.8mA/V、灯丝电流0.35A(两组),对应的美国型号为2C51,也称5670,俄国型号为6H3N。

n95的典型参数为:屏压135V、内阻300欧、S为6.5mA/V、阳极最大耗散功率l3W,接近国产6NBP,国外型号为6080。

所以n95三极管参数是300欧

七、俄罗斯三相电用什么颜色?

黄色——三相电路的A相;

半导体三极管的基极;

可控硅管和双向可控硅管的控制极。

绿色——三相电路的B相。

蓝色——直流电路的负极;

八、俄罗斯晶体管什么水平?

俄罗斯的晶体管技术世界领先

网上有很多网友认为俄罗斯晶体管技术很落后,其实是一种误解,如果俄罗斯真的如此落后,那怎么会造出那么多让美国都感到威胁的武器呢。其实从苏联时期,其主要精力就放在了发展体积庞大的晶体管方向上,同时采取了加大功率和元件数量来弥补在单位精度方面的不足。继承苏联衣钵的俄罗斯,至今其晶体管技术仍处于世界领先水平。

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