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三极管有几个PH结(3极管有几个pn结)

来源:www.haichao.net  时间:2023-03-31 07:27   点击:69  编辑:admin   手机版

一、三极管是由两个pn结组成什么有源器件?

三极管是由两个pn结组成分立有源器件。

有源器件,需电源来实现其特定功能的电子元件。主要包括电子管、晶体管、集成电路等。一般用于信号的放大、转换等。

如果电子元器件工作时,其内部有电源存在,则这种器件叫做有源器件。这是一种电子器件,需要能量的来源而实现它特定的功能。

二、三极管为什么可n到p?

三极管是一个具有两个PN结的三层结构。

如NPN管就是两个N型半导体中夹着一层极薄的P型半导体。

当左侧PN结加正向电场时,阻挡层变薄,电子由N区向P区扩散,进入P区。进入P区的电子,部分在P区与空穴复合形成基极电流,另一部分,运动到集电区(N型区)边缘,被集电结强大的反向电场拉入集电区,形成集电极电流。这个集电极电流远大于基极电流。

这就是晶体管放大原理。

三、三极管有几个PN?

三极管有两个PN节,因此它具有单向导电性?独立使用一个PN结,就是一个二极管,具有单向导电性.

按照三极管使用就不是两个二极管相连那么简单,不能用单向导电来判断它的工作状态.

如果两个pn结是一样的,那么E和C的区别在哪里啊? 两个有点区别,C极的正向电阻要大于E极的正向电阻 用万用表测试三极管 (1)判别基极和

因为两个PN节是不同的。那么用两个不同的二极管就能搭成三极管了

四、三极管的三个区和三个极?

三极管晶的三个区即发射区、基压和集电压,三个极分别叫发射极e、基极b和集电极c。

晶体三极管有两个pn结:发射结和收集结;分为3个区:发射区、基区和集电区;对应引出的3个电极分别称为发射极、基极和集电极;基区在制作上要比其他两区薄得多,发射区的掺杂要比基区重得多。在npn型晶体管工作时,发射极加正向偏置,使发射结势垒降低,发射区的电子源源不断地越过pn结注入基区,形成发射电流Ie,这个过程发射区电子的扩散运动起主导作用。

五、三极管有几个pn结?

不管什么型号的三级管,npn型或者是pnp型都有且仅有两个pn结。

六、三极管是由三个pn结组成吗?

不是

三极管[sān jí guǎn]三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。

七、三极管是由几个PN结构成的一种半导器件?

三极管是由两个pn结构成的半导体期间,三个极分别是基极、射极、集电极。

八、三极管判定的口诀技巧?

1、三极管判定的口诀技巧

口诀第一句:三颠倒,找基极。

大家知道,三极管是含有两个PN结的半导体器件(并非单独的两个PN结串联)。而根据两个PN结连接方式不同,三极管可分为NPN型和PNP型。

三极管的测试是使用的万用电表的欧姆挡R×100或R×1k挡位。而指针式万用电表,红笔为万用表负极,黑笔为万用表电池正极。在测试三极管管型时,第一步要先判断引脚的基极位置。测量方法:随意选取两个电极(如这两个电极为1、2),首先测量正反电阻,观察表针的偏转角度;接着,再取1、3两个电极和2、3两个电极,分别颠倒测量它们的正、反向电阻,观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中,必然有两次测量结果相近:即颠倒测量中表针一次偏转大,一次偏转小;剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小,这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极。

2、口诀第二句:PN结,找管型

经过上诉测量,我们确定引脚基极之后,就可以根据基极与另外两个电极之间PN结方向来确定管型。测量方法:将万用表的黑表笔置于基极,红表笔置于其余任一电极,若表头指针偏转角度很大,则说明被测三极管为NPN型管;若表头指针偏转角度很小,则被测管即为PNP型。

3、口诀第三句:顺箭头,偏转大

NPN型三极管:根据NPN型三极管穿透电流的流向原理,用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec,获取两次测量结果,发现表头指针偏转均小,经过细心观察,会发现有一次偏转角度偏大一点,即此次电流流向为:黑笔→c极→b极→e极→红笔,流向吻合三极管符号箭头的流向,所以此时黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e

九、一只三极管内部包含几个pn结发射区和基区之间的pn?

一个三极管内部包含两个pn结,发射区和基区之间的pn结称为发射结,集电区和基区之间的pn结称为集电结。结构上基区位于中间,很薄,掺杂浓度低,发射区和集电区位于基区两边,发射区掺杂浓度高,集电区面积比较大。发射区与集电区为同类型杂质半导体与基区杂质半导体类型不同,这样就形成了两个pn结。

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