一、有没有三极管ss8550的参数？
三极管ss8550的参数如下：
极性：PNP
PCN(mw)功率：300mw
lc(mA)电流：300mA
BVCBO(V)集电极-基极电压：40V
BVCEO(V)集电极-发射极电压：25V
BVEBO(V)发射极-基极电压：5V
hFE（min）最小放大倍数：120
hFE（max）最大放大倍数：350
hFEVce(v)集电极与发射极电压：1V
hFElc(mA)集电极电流：100mA
VCE(Sat)V集电极-发射极饱和电压：0.5V
VCE(Sat)lc(mA)电极电流：800mA
lB(mA)基极电流：80mA
Ft(MHZ)频率：100MHZ。
二、三极管9014在电路中的位置能不能与8550在电路中的位置进行交换？
不可以。
1、种类不同，8550是PNP管，9014是NPN管。
2、放大能力和通过电流能力不同，8550放大能力大概是240左右，但最大电流可以达到0.8A，9014放大倍数比较高，一般有400多，但最大允许通过的电流很小，0.1A差不多了。
三、三极管8550和9013可以互换吗？
9012是PNP型管，低噪放大 50V 0.5A 0.625W 9013是NPN型管，低频放大 50V 0.5A 0.625W 8550是PNP型管 ，高频放大 40V 1.5A 1W 8050是NPN型管， 高频放大 40V 1.5A 1W 功耗小的时候，两者可以互换。
四、8550三极管参数？
集电极-基极电压Vcbo：-40V 工作温度：-55℃to+150℃ 和8050（NPN）相对 主要用途： 开关应用 射频放大 8550三级管参数:类型:开关型;极性:PNP;材料:硅;最大集电极电流(A):0.5A;直流电增益:10to60;功耗:625mW;最大集电极发射电压（VCEO）:25;频率:150MHz PE8550硅NPN30V1.5A1.1W 3DG8550硅NPN25V1.5AFT=190*K 2SC8550硅NPN25V1.5AFT=190*K MC8550硅NPN25V700mA200mW150MHz CS8550硅NPN25V1.5AFT=190*K 8050S8550SS8050S8550参数： 耗散功率0.625W（贴片：0.3W） 集电极电流0.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT最小150MHZ典型值产家的目录没给出 按三极管后缀号分为BCD档贴片为LH档 放大倍数B85-160C120-200D160-300L100-200H200-350 C8050C8550参数： 耗散功率1W 集电极电流1.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT最小100MHZ典型190MHZ 放大倍数：按三极管后缀号分为BCD档 放大倍数B：85-160C：120-200D：160-300 8050SS8550SS参数： 耗散功率:1W(TA=25℃)2W(TC=25℃) 集电极电流1.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT最小100MHZ 放大倍数：按三极管后缀号分为BCDD3共4档 放大倍数B：85-160C：120-200D：160-300D3:300-400 引脚排列有EBCECB两种 SS8050SS8550参数： 耗散功率:1W(TA=25℃)2W(TC=25℃) 集电极电流1.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT最小100MHZ 放大倍数：按三极管后缀号分为BCD共3档 放大倍数B：85-160C：120-200D：160-300 引脚排列多为EBC UTC的S8050S8550引脚排列有EBC 8050S8550S引脚排列有ECB 这种管子很少见 参数： 耗散功率1W 集电极电流0.7A 集电极--基极电压30V 集电极--发射极击穿电压20V 特征频率fT最小100MHZ典型产家的目录没给出 放大倍数：按三极管后缀号分为CDE档 C：120-200D：160-300E：280-400
五、9012.9013.9014.9015.9016.9017.8050.8550的放大倍数各是多少？
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据 9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80 9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管 放大倍数30-90 9013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管 放大倍数40-110 9014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-90 8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100 8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140。
六、ny三极管参数？
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据
9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管 放大倍数30-90
8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140
9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80
9013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管 放大倍数40-110
9014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-90
8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100
七、三极管8550的参数？
集电极-基极电压Vcbo：-40V 工作温度：-55℃ to +150℃ 和8050（NPN）相对 主要用途： 开关应用 射频放大 8550三级管参数:类型:开关型; 极性:PNP; 材料:硅; 最大集电极电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集电极发射电压（VCEO）:25; 频率:150MHz PE8550 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W 3DG8550 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K 2SC8550 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K MC8550 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz CS8550 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K 8050S 8550S S8050 S8550 参数： 耗散功率0.625W（贴片：0.3W） 集电极电流0.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出 按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档 放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350 C8050 C8550 参数： 耗散功率1W 集电极电流1.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ 放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档 放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 8050SS 8550SS 参数： 耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃) 集电极电流1.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小100MHZ 放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档 放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种 SS8050 SS8550 参数： 耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃) 集电极电流1.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小100MHZ 放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档 放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 引脚排列多为EBC UTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC 8050S 8550S 引脚排列有ECB 这种管子很少见 参数： 耗散功率1W 集电极电流0.7A 集电极--基极电压30V 集电极--发射极击穿电压20V 特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出 放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档 C：120-200 D：160-300 E：280-400