一、cmos电路主要元件是？
主要是场效应管，三极管主要用于TTL电路
二、ttl逻辑比cmos逻辑运行功耗？
CMOS用的是场效应管，TTL用的是三极管，所以CMOS集成度高、功耗低、抗干扰能力强扇出系数大。
三、cmos管和三极管区别？
cmos管和三极管区别，简要地说就是控制的物理量不同。
三极管是电流控制元件，是由基极电流控制集电极电流，集电极电流Ic与基极电流Ib的比值叫电流放大系数。
即 β＝Ic/Ib
mos管是电压控制元件，由栅极电压控制源、漏极电流。因此，mos管栅极电流几乎为零，输入阻抗很高。
cmos管是把p沟道和n沟道两个mos管组合起来使用，用来实现逻辑控制。
四、cmos是三极管还是二极管原理？
无论是CCD还是CMOS，它们都采用感光元件作为影像捕获的基本手段，CCD/CMOS感光元件的核心都是一个感光二极管（photodiode），该二极管在接受光线照射之后能够产生输出电流，而电流的强度则与光照的强度对应。
但在周边组成上，CCD的感光元件与CMOS的感光元件并不相同，前者的感光元件除了感光二极管之外，包括一个用于控制相邻电荷的存储单元，感光二极管占据了绝大多数面积—换一种说法就是，CCD感光元件中的有效感光面积较大，在同等条件下可接收到较强的光信号，对应的输出电信号也更明晰。
而CMOS感光元件的构成就比较复杂，除处于核心地位的感光二极管之外，它还包括放大器与模数转换电路，每个像点的构成为一个感光二极管和三颗晶体管，而感光二极管占据的面积只是整个元件的一小部分，造成CMOS传感器的开口率远低于CCD（开口率：有效感光区域与整个感光元件的面积比值）；这样在接受同等光照及元件大小相同的情况下，CMOS感光元件所能捕捉到的光信号就明显小于CCD元件，灵敏度较低；体现在输出结果上，就是CMOS传感器捕捉到的图像内容不如CCD传感器来得丰富，图像细节丢失情况严重且噪声明显，这也是早期CMOS传感器只能用于低端场合的一大原因。
CMOS开口率低造成的另一个麻烦在于，它的像素点密度无法做到媲美CCD的地步，因为随着密度的提高，感光元件的比重面积将因此缩小，而CMOS开口率太低，有效感光区域小得可怜，图像细节丢失情况会愈为严重。
因此在传感器尺寸相同的前提下，CCD的像素规模总是高于同时期的CMOS传感器，这也是CMOS长期以来都未能进入主流数码相机市场的重要原因之一。
五、电子管，晶体管，三极管，场效应管，MOS以及CMOS的区别和联系？
电子管，晶体管，三极管，场效应管，MOS以及CMOS都属于受控放大的电子器件。工作原理各不相同：电子管，由发热灯丝发射电子，靠高压吸引电子、栅极控制发射电子的能力，属电压控制电流型器件。
晶体管就是三极管，靠半导体内的两种载流子运动，由基极来控制电子的运动大小。属电流控制电流型器件。
MOS管、CMOS管也是同样的工作原理，不过他是考栅极电场来控制一种载流子的运动，也属于电压控制电流型器件。
六、晶体三极管和CMOS管的放大原理有何区别？
1，两者有一个本质的差别，三极管是电流控制电流源
CMOS是电压控制电流源，所以三极管是电流为控制，CMOS是电压
2，三极管的结电容小，CMOS的大，所以三极管一般高频特性好
3，三极管Vce饱和电压0.3V，而CMOS功率管RDS有几个毫欧
故而CMOS功率做的比较大，自身损耗功率小