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如何判断三极管工作在放大区

来源:www.haichao.net  时间:2023-04-01 15:24   点击:259  编辑:admin   手机版

一、如何判断三极管工作在放大区域?

理论计算的话,先假设一下三极管处于放大状态.然后计算出三极管的静态工作点(Q点).如果计算结果是集电结反偏,发射结正偏,就是集电结的PN结的压降>0.7v(一般是几伏)如果发射结的压降是0.7v.那么证明三极管工作在放大状态.三极管处于什么状态和外接的电阻,三极管本身的特点,电源电压(VCC)有关系.主要是三极管的静态.和三极管的动态输入无关(主要指小信号输入的情况下.)如果处于放大状态的三极管,基极有输入信号的话,集电极的电流自然会放大的.如果实验论证的话更简单了.你可以测量一下集电结和发射结的压降就知道了.

二、三极管放大区截止区饱和区的判断方法?

判断方法如下:

(1)、放大区:三极管的发射极加正向电压,集电极加反向电压导通后,ib控制ic,ic与ib近似于线性关系,在基极加上一个小信号电流,引起集电极大的信号电流输出。

(1)、截止区:三极管工作在截止状态,当发射结电压ube小于0.6—0.7v的导通电压,发射结没有导通集电结处于反向偏置,没有放大作用。

(2)、饱和区:当三极管的集电结电流ic增大到一定程度时,再增大ib,ic也不会增大,超出了放大区,进入了饱和区。饱和时,ic最大,集电极和发射之间的内阻最小,电压uce只有0.1v~0.3v,uce<ube,发射结和集电结均处于正向电压。三极管没有放大作用,集电极和发射极相当于短路,常 与截止配合于开关电路。

三、已知电压如何判断三极管的工作区?NPN和PNP方法一样吗?具体点?

可通过测量Vce来判断:如Vce等于电源电压,那么三极管工作在截止区;如果Vce电压接近于0(准确说为0.3V左右),那么三极管工作在饱和区;如果Vce在0(准确说为0.3V左右)和电源电压之间,那么三极管工作在放大区。

这种判断方法对于NPN和PNP三极管是同样适用的。

四、怎么样才能判断三极管是工作在放大区,还是饱和区还是截止区?

1.截止状态所谓截止,就是三极管在工作时,集电极电流始终为0。此时,集电极与发射极间电压接近电源电压。对于NPN 型硅三极管来说,当U be在0~0.5V 之间时,I b很小,无论I b怎样变化,I c都为0。

此时,三极管的内阻(Rce)很大,三极管截止。当在维修过程中,测得U be低于0.5V 或Uce接近电源电压时,就可知道三极管处在截止状态。

2.当 U be在0.5~0.7V 之间时,U be的微小变化就能引起I b的较大变化,I b随U be基本呈线性变化,从而引起I c的较大变化(I c=βI b)。

这时三极管处于放大状态,集电极与发射极间电阻(Rce)随U be可变。当在维修过程中,测得U be在0.5~0.7V 之间时,就可知道三极管处在放大状态。

3.饱和状态

当三极管的基极电流(I b)达到某一值后,三极管的基极电流无论怎样变化,集电极电流都不再增大,一直处于最大值,这时三极管就处于饱和状态。

三极管的饱和状态是以三极管集电极电流来表示的,但测量三极管的电流很不方便,可以通过测量三极管的电压U be及U ce来判断三极管是否进入饱和状态。当U be略大于0.7V 后,无论U be怎样变化,三极管的I c将不能再增大。

此时三极管内阻(Rce)很小,U ce 低于0.1V,这种状态称为饱和。三极管在饱和时的U ce 称为饱和压降。当在维修过程中测量到U be在0.7V 左右、而U ce低于0.1V 时,就可知道三极管处在饱和状态。

五、请问怎样判断三极管是处于放大状态?

你是理论计算还是实验论证?

理论计算的话,先假设一下三极管处于放大状态。然后计算出三极管的静态工作点(Q点)。如果计算结果是集电结反偏,发射结正偏,就是集电结的PN结的压降>0.7v(一般是几伏)如果发射结的压降是0.7v。那么证明三极管工作在放大状态。三极管处于什么状态和外接的电阻,三极管本身的特点,电源电压(VCC)有关系。主要是三极管的静态。和三极管的动态输入无关(主要指小信号输入的情况下。)如果处于放大状态的三极管,基极有输入信号的话,集电极的电流自然会放大的。

如果实验论证的话更简单了。你可以测量一下集电结和发射结的压降就知道了。

六、三极管工作在放大状态的条件?

三极管工作在放大状态的外部条件是:发射结正向偏置,集电结反向偏置。

晶体三极管是一种电流控制的半导体器件,具有电流放大作用,其主要作用是把微弱输入信号放大成幅值较大的输出信号,是很多常用电子电路的核心元件。

三个相邻互不相同的杂质半导体叠加起来,就形成了三极管的基本结构。从三个杂质半导体区域各引出一个电极,我们分别将其称之为发射极(Emitter)、集电极(Collector)、基极(Base);而对应的区域分别称为发射区、集电区、基区;相邻的两个不同类型的杂质半导体将形成PN结,我们把发射区与基区之间的PN结称之为发射结,而把基区与集电区之间的PN结称之为集电结。

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