一、什么叫门极电压？
门极电压（gate voltage）是1998年经全国科学技术名词审定委员会审定发布的电气工程名词。
门极是阴极和阳极之外的第三极，用于控制晶闸管的通断，通常这个控制极的触发电压叫做门极电压。规格不同的可控硅其门极电压也不相同。一般在5V左右，功率小的电流也小。准确的叫门极电压，常用于驱动三极管，IGBT，GTO的半导体元件的驱动信号。一般是一种脉冲形式的电压，携带信号。
二、为什么三极管ce导通电压为0.3？
因为3V，这和实际情况基本一致。在实际电路中，虽然三极管参数存在有一定的离散性，基本不会大于这个值，有时还会小一点。
深度饱和时,发射结正偏,集电结也正偏,但此时Uce并不为0,一般最小在0.3V左右,即饱和管压降。至于为什么硅管是0.3V,锗管是0.1V
三、三极管门极电压最大为多少？
三极管可分为锗三极管和硅三极管。锗三极管的基极最大电压为0.25V左右。硅三极管的基极最大电压为0.55V左右。
四、三极管的导通电压多大？
情况如下：
硅管：NPN，基极大于发射极0.7V，但实际使用0.5V左右就导通了
PNP，发射极大于基极0.7V
锗管：NPN，基极大于发射极0.3V
PNP，发射基大于基极0.3V
硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。
五、三极管与门原理？
三极管与门电路原理：
当输入1为高电平+5V，输入2也为高电平+5V时，Q11基极通过R24接到+5V,发射极接地，形成回路，Q11导通，Q9发射极接+5V，基极通过R19以及导通的Q11接地，形成回路，从而Q9导通，导通后Q9的发射极和集电极压降为0.3V，则输出点电压为+4.7V，即为数字量1；当输入1为低时，Q11集电极和发射极未导通，Q9的发射极和基极无法形成回路，则Q9的集电极和发射极不能导通，输出被拉到地端，即输出数字量0。
输入2为低时，则Q9的Ueb不可能大于0.7V，即Q9的发射极与集电极不能导通，输出点电平被钳位到地端，即低电平。
六、三极管的导通电压是多少？
三极管以前用的是锗材料，导通电压是0.2V，由于热稳定性差，已淘汰了。
现在普遍使用的三极管是硅材料，导通电压是0.7V，热稳定性比较好，工作可靠性也大大提升。
七、三极管的导通电压多大?三极管的导通电压多大？
三极管的导通电压是不确定的，因为它是电流控制元件。
对于硅三极管，集电极和发射极间的饱和导通电压为0.3V左右，对于锗三极管，集电极和发射极间的饱和导通电压为0.1V左右，但是如果不是处于饱和区而是出于放大区，就不确定了，只能确定集电极电流是基极电流的β倍。
八、三极管导通时，基极电压是0.7v一直不变吗？
有说npn三极管由0.2v基极电压开始渐通，到0.7v全通即饱和状态，基极电压变不变就视乎输入电压，基极输入电压过。上限就会损坏三极管。
九、三极管的开启电压和导通电压？
在半导体中导通电压与开启电压有啥区别:
（1）昌体管变改基极电压、电流可以改变集电极与发射极之间的电流变化。
（2）硅三极管的基极电压低于0.7V，晶体管趋于截止状态集电极与发射极之间的电阻保持无穷大。基极电压到0.7V，这时集电极与发射极开始导通，这基极这一电压特性叫晶体管的开启电压。
（3）晶体管从刚开始导通到全部导通之间还有一个工作三角处，模拟电路就是晶体工作在这一三角区域，晶体管要跨过三角工作处才是全导通。
（4）施加基极电压使晶体管跃过模拟特性三角处，使晶体管全部导通的基极电压，叫做导通电压。
十、三极管开启电压和导通电压？
普通三极管，导通电压0.5-0.7V，符合二极管的特性。 正向电压就是不超过二极管正向所能承受的最大电压值。