一、电感和mos管
llc电路和pfc电路是两种不同的电路结构，它们的主要区别如下：明确llc电路和pfc电路是电源转换器的两种不同结构。llc电路采用L型谐振电路和全桥电路相结合的方式，可以有效降低开关管的开关损耗和电磁干扰，提高整个系统的效率，适用于高功率、高效率、大电流的应用场景。而pfc电路采用功率因数校正电路，可以在输入电压变化的情况下保持输出稳定，同时具有优秀的功率因数校正能力，适用于需要稳定输出电压和功率因数的场合。在实际应用中，llc电路和pfc电路往往结合使用，构成一种高效、高稳定性的功率转换方案。需要根据具体的应用场景和设计要求进行选择和优化。
二、电感放电时的电压
电感两端的电压的相关计算公式：U=L*di/dt。
其中，L是电感量，di/dt代表电流对时间的导数，可以理解为电流变化的快慢。
三、电感放电回路
电感放电就是利用线圈感应产生高压放电。与之对应的是电子高压放电，电子高压是利用电子电路产生高压的。 电感器在突然断电后，会在电感两级产生高压，电感放电就是利用了这个特点。
四、电感放电电流大小
闭合开关K，电感L开始充电，流过L的电流从零开始增大，由于变化的电流会产生变化的磁场，变化的磁场在电感L中会产生感生电压，此电压与电源电压方向相反，从而会阻碍电感中电流的增大，这样接通电源后流过电感的电流是从零逐渐增加到最大值（这个与电容充电时，其两端电压由零逐渐增大到最大值相似）。
当开关K断开，并在L两端并联一个负载时，电感中储存的磁能便会通过负载释放，流过负载的电流从最大值逐渐变小。电感充放电的速率与电感量及电流的大小有关。
五、电感放电烧坏mos管会怎样
1. 电路设计不合理：尤其是高频开关电源，如果电路设计不合理，如电容、电感、二极管等参数选择不当，容易使mos管击穿。
解决办法：重新设计电路，针对mos管的特性进行选择参数，力求让mos管工作在安全边界内。
2. 负载变化大：如果开关电源负载变化较大，如过载或短路，负载品质差，容易使mos管击穿。
解决办法：增加过载保护电路，合理选择负载，确保负载品质可靠。
3. 瞬态高压干扰：由于mos管在开关状态时会产生瞬态高压，如果不能及时去除，积累起来会使mos管击穿。
解决办法：增加反电动势保护电路，减小开关时间，控制开关频率，减小瞬态高压。
4. 温度过高：高温环境下mos管的绝缘击穿电压会降低，容易使mos管击穿。
解决办法：加装散热器，控制mos管工作温度。
5. 其他原因：如电源电压波动、灯泡启动等情况也会造成mos管击穿。
解决办法：加装稳压电路，避免电压波动；加装灯泡启动电路，消除电感电容回路的高压干扰。
六、电感 放电
一个直流电源经开关与一个电感线圈相连，充电时，开关由断开状态接通，电路电流由零开始增加，不能瞬间达到稳定值，原因是电感线圈产生了感应电动势。感应电动势的正负极性判别有两种方法，一种是知道电感线圈的绕向，则根据楞次定律判别，楞次定律的内容是感应磁通总是反对原磁通的变化，基本方法是
⑴确定原电流产生的原磁通方向；
⑵根据原磁通变化是增加的，根据楞次定律确定感应磁通的方向，与原磁通方向相反；
⑶根据感应磁通确定感应电流，由感应电流确定感应电动势的极性。
另一种是不知道电感线圈的绕向，则也是根据楞次定律判别，此时楞次定律的内容是感应电流总是反对原电流的变化，基本方法同上。
放电时，判别感应电动势极性的方法同上，只是要注意理解楞次定律的含义，以便准确运用。
七、电感放电是直流还是交流
答：电感在放电时放电电流的变化率逐渐变小，由此产生的磁通变化率减小，从而在电感中产生与放电电流反向的感应电流变化率减小，感应电流变化在电感中产生感应磁通的变化，感应磁通与原磁通反向，因此在电感中产生反向的感应电势。所以正确的说：电感放电时感应电势的方向相反。
八、电感放电烧坏mos管的原因
MOS管损坏主要原因：
过流：持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;
过压：源漏过压击穿、源栅极过压击穿;
静电：静电击穿，CMOS电路都怕静电。
第一种：雪崩破坏，如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同)，并超出一定的能量后就发生破坏的现象。
第二种：器件发热损坏，由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。
第三种：内置二极管破坏，在DS端间构成的寄生二极管运行时，由于在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运行，导致此二极管破坏的模式。
第四种：由寄生振荡导致的破坏，此破坏方式在并联时尤其容易发生。在并联功率MOS FET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高速反复接通、断开漏极-源极电压时，在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。
第五种：栅极电涌、静电破坏，主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而引起的破坏，即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端(包括安装和和测定设备的带电)而导致的栅极破坏。
九、电感放完电后相当于什么?
网友你好！这样比喻您就明白了。物理意义上讲电容器是由两块极板组成的，相互间没有接触，所以相当于开路；而电感线圈是由铜丝绕制成的，所以在直流电路中可以看成短路了。
同样用理论知识来分析也是一样的：对于电感，根据U=L(di/dt)，显然直流电路中，di/dt=0，所以电感两端电压等于0，即相当于短路。
对于电容，根据i=C(du/dt)，采用积分后u=it/C，因为i是定值，所以U会随着时间t而不断上升，但是对于固定的电路，电容两端的电压最终也会固定在莫个值，不再变化。
同时，即使拿走电容，也不影响原电路中这两个端点间的电压，所以电容在直流电路相当于断路。
十、电感被烧是什么原因
集电极与发射极之间的电压高于最高工作就会击穿。通常由IGBT从闭合(close)到打开(open)过程中电流突然下降造成的尖峰电压(voltage spike)所导致，因为在IGBT以及电路中会有不可避免的感性阻抗。
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。