一、mos管g极电阻选择?
MOS管是由电压驱动的,是以G级电流很小,但是因为寄生电容的存在,在MOS管打开或关闭的时候,因为要对电容进行充电,所有瞬间电流还是比较大的。特别是在开关电源中,MOS管频繁的开启和关闭,那么就要更要考虑这个带来的影响了。
MOS管的寄生电容有三个,Cgs,Cgd,Cds
一般在MOS管规格书中,一般会标下面三个参数:Ciss,Coss,Crss,他们与寄生电容的关系如下:
Ciss=Cgs+Cgd
Coss=Cds+Cgd
Crss=Cgd
二、MOS管G极的电阻和二极管有什么用处?
应该是泄放电路。就是需要关断时,迅速泄放掉G极的电荷,进而迅速关断MOSFET。
三、mos管电阻公式?
MOSFET选用原则 一、反应时间T(nS): t n 分为: T(nS) 146 Td(n)(nS) 18 开启时间Tn 导通延迟时间Td(n)+上升时间Tr Tr(nS) 59 二、驱动功率P(mW): 2 2 P= WF=0.5CU F=0.5*U *F*Q/U=0.5*F*QU 驱动功率P(mW) 14.5 栅源电荷Q(nC) 29 三、热效应E(J): 相关: 通态电阻RDS(ON)
通态漏极电流ID(ON) 原则 关断时间Tff 判断延迟时间Td(ff)+下降时间Tf Td(ff)(nS) 11 Tf(nS) 58 栅源电压U(V) 10 驱动信号频率F(KHz) 100
四、mos管等效电阻?
等效电阻几个连接起来的电阻所起的作用,可以用一个电阻来代替,这个电阻就是那些电阻的等效电阻。也就是说任何电回路中的电阻,不论有多少只,都可等效为一个电阻来代替。而不影响原回路两端的电压和回路中电流强度的变化。
这个等效电阻,是由多个电阻经过等效串并联公式,计算出等效电阻的大小值。
也可以说,将这一等效电阻代替原有的几个电阻后,对于整个电路的电压和电流量不会产生任何的影响,所以这个电阻就叫做回路中的等效电阻。
五、mos管静态电阻多大?
最大漏极/源极电压VDSS(雪崩击穿电压)为600.0V,最大栅极/源极电压VGSS为±30V
• 最大漏极持续电流(DC)Id为20.0A,最大总耗散功率Pt为50.0W
• 静态漏源导通电阻Rds典型值为0.16Ω
• 最高沟道温度Tch为150.0℃
• 总栅极电荷量典型值Qg为87.0 nC
• 采用STO-220封装, 尺寸大小为13.2mm(W)X10.2mm(H)X4.7mm(D)
六、mos管栅极串联电阻作用?
MOS管栅极上串个小电阻的主要作用是: 改变管子栅极输入控制脉冲的前后沿陡度,以及防止寄生电容和电感形成的振荡, 减小输出电压尖峰,从而防止MOS管被烧坏。
简单的说MOS管的闸极有杂散电容有引线电感走线电感输入阻抗又高Q值大容易谐振,因此加个电阻或磁珠降低Q值让它不容易振荡。
七、mos管栅极电阻选取方法?
1、栅极电阻阻值的确定
各种不同的考虑下,栅极电阻的选取会有很大的差异。
初试可如下选取:IGBT额定电流(A)5010020030060080010001500Rg阻值范围(Ω)10~205.6~103.9~7.53~5.61.6~31.3~2.21~20.8~1.5不同品牌的IGBT模块可能有各自的特定要求,可在其参数手册的推荐值附近调试。
2、栅极电阻功率的确定
栅极电阻的功率由IGBT栅极驱动的功率决定,一般来说栅极电阻的总功率应至少是栅极驱动功率的2倍。IGBT栅极驱动功率 P=FUQ,其中:F 为工作频率;U 为驱动输出电压的峰峰值;Q 为栅极电荷,可参考IGBT模块参数手册。例如,常见IGBT驱动器(如TX-KA101)输出正电压15V,负电压-9V,则U=24V,假设 F=10KHz,Q=2.8uC可计算出 P=0.67w ,栅极电阻应选取2W电阻,或2个1W电阻并联。
八、mos管的电阻有多大?
70到200欧姆
MOSFET内阻是指MOSFET在关断状态下的电阻值,一般来说,MOSFET的内阻值在70到200欧姆之间。如果MOSFET的内阻值超过200欧姆,可能会导致电路故障,因此需要检查MOSFET的内阻值。解决方法:1.首先,使用万用表测量MOSFET的内阻值,以确定是否超过200欧姆。2.如果内阻值超过200欧姆,则需要更换MOSFET,以确保电路的正常工作。3.如果内阻值低于200欧姆,则可以继续使用MOSFET,但应定期检查内阻值,以确保电路的正常工作。个人心得小贴士:MOSFET的内阻值对电路的正常工作至关重要,因此应定期检查MOSFET的内阻值,以确保电路的正常工作。
九、MOS管如何直接看电阻?
怎么测量mos管内阻
1:给mos管gs两端加上10V电压,导通mos管。
2:给mos管DS通过1A电流,可使用带限流的电源,把限流调到1a,电压调到0.1V。
3:用高精度万用表测量(六位半)测量MOS管DS端电压V。
MOS管的Ron=V/1A。
具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对MOS管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。
十、mos管栅极电阻多大阻值?
电阻是15Ω,mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
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