mos驱动电阻选多大？

一、mos驱动电阻选多大？

一般R5大概在10R-220R之间吧。很显然，R4+R5等于栅极驱动电阻，R4大约取100R-470R之间，R4太小了电流太大，三极管Q2过热。R3是根据R4来计算的，计算一下电流，放大位数，大约在1K-4K7左右吧。R2是Q1的负载电阻，并和R3为Q2提供基极电流，大概1K-4K7，和R3相等就好了，R1大概4K7-10K.

二、MOS管驱动电阻的选择？

选择MOS管的驱动电阻应考虑以下因素：

1.根据MOS管的额定电流和工作电压选择合适的功率电阻；

2.根据MOS管的输入电容和驱动电路的频率选择合适的阻值以确保迅速充放电；

3.根据MOS管的开关速度和驱动要求选择低电阻值以降低功耗和热量；

4.确保电阻的功率额定值大于所需功率来避免过载。最好参考MOS管的数据手册和相关驱动电路设计指南进行选择。

三、mos管驱动电阻大小的影响？

你好！mos管驱动电阻的大小会直接影响到mos管的开关速度和功耗等参数，同时也会影响到电路的稳定性。

如果驱动电阻过小，会导致mos管在开关过程中瞬间产生过大的电流和热量，增加器件发生烧坏的风险；反之，驱动电阻过大会导致mos管开关速度变慢，电路响应速度变慢，从而影响整个系统的性能。

因此，在设计mos管驱动电路时，需要根据具体应用来选择恰当的驱动电阻大小，以达到较好的性价比。

四、mos管驱动电阻计算公式？

等效驱动电路: 关于 MOSFET 驱动电阻的选择 DRIVE 12V L VCC Rg Q Cgs L 为 PCB 走线电感,根据他人经验其值为直走线 1nH/mm,考虑其他走线因素,取 L=Length+10(nH)...

五、mos电阻特点？

中低压MOSFET产品特点

1.极强的大电流和大功率处理能力

2.极低的导通内阻

3.极低的栅极电荷

4.良好的抗雪崩击穿能力

5.超强的马达驱动能力

（开关速度快，开关损耗低，特别适应PWM输出模式）

高压MOSFET特点

1.导通电阻低

2.开关速度快

3.输入阻抗高

主要应用于：

1.电子镇流器

2.电子变压器

3.开关电源

超结MOSFET的特点

1.极低的传导损耗

2.极大的电流能力

3.极低的栅极电荷Qg

4.低的开启电压

5.极快的开关速度

6.出色的UIS能力

7.百分百的雪崩能量击穿测试

六、mos管驱动电阻一般用什么样的电阻？

MOS管驱动电阻通常需要具备高速、低电感、低电容和高稳定性等特性，常用的电阻有以下几种：

金属膜电阻：金属膜电阻是一种常用的传统电阻，具有价格低廉、精度较高和温度系数较小等优点，可用于一般性的驱动电路。

薄膜电阻：薄膜电阻是一种电阻精度高、稳定性好的电阻，其制作方法是在基材表面沉积一层金属薄膜，具有较低的电感和电容。

有机电阻：有机电阻是一种基于碳、氧、氮等元素构成的有机化合物，具有稳定性好、耐腐蚀性强、尺寸小等优点，可用于高精度、高速的驱动电路。

金属箔电阻：金属箔电阻是一种具有较高稳定性和精度的电阻，其制作方法是在陶瓷或玻璃基材上蒸镀一层金属箔，并采用高精度的刻蚀技术制作出电阻。

在选择MOS管驱动电阻时，需要考虑电路的工作条件、驱动电路的要求和成本等因素，选择适合的电阻类型。

七、mos管电阻公式？

MOSFET选用原则 一、反应时间T(nS)： t n 分为： T(nS) 146 Td(n)(nS) 18 开启时间Tn 导通延迟时间Td(n)+上升时间Tr Tr(nS) 59 二、驱动功率P(mW)： 2 2 P= WF=0.5CU F=0.5*U *F*Q/U=0.5*F*QU 驱动功率P（mW） 14.5 栅源电荷Q（nC） 29 三、热效应E(J)： 相关： 通态电阻RDS（ON）

通态漏极电流ID（ON） 原则 关断时间Tff 判断延迟时间Td(ff)+下降时间Tf Td(ff)(nS) 11 Tf(nS) 58 栅源电压U（V） 10 驱动信号频率F（KHz） 100

八、mos管等效电阻？

等效电阻几个连接起来的电阻所起的作用，可以用一个电阻来代替，这个电阻就是那些电阻的等效电阻。也就是说任何电回路中的电阻，不论有多少只，都可等效为一个电阻来代替。而不影响原回路两端的电压和回路中电流强度的变化。

这个等效电阻，是由多个电阻经过等效串并联公式，计算出等效电阻的大小值。

也可以说，将这一等效电阻代替原有的几个电阻后，对于整个电路的电压和电流量不会产生任何的影响，所以这个电阻就叫做回路中的等效电阻。

九、mos是电流驱动还是电压驱动？

IGBT驱动电路是通过驱动电源、门极电阻、门极电容等使IGBT实现开通和关断。IGBT开通时，电压会通过IGBT加在负载上，如电机电感。通过合理控制开通时间使电感电流达到需要的值。

另外，驱动电路一般还需要集成保护功能，如短路保护、VGE钳位、VCE电压钳位等；

十、mos管电压驱动还是电流驱动？

答：GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。

MOSFET和IGBT是电压控制器件，类似于场效应管，可通过栅极电压控制其导通和关断，开关速度高于GTO，由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高，后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。