mos管共漏接法？

一、mos管共漏接法？

场效应管有共源、共漏接法（与晶体管放大电路共射、共集接法相对应）。栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载电源负极（模拟地），漏极(D)接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。

当栅极/基极(G)电压大于MOSFET管开启电压（通常为1.2V），源极(S)到漏极(D)导通，导通电流很小，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。这样负载负极被连通负载电源负极，负载工作。当栅极/基极(G)电压小于MOSFET管开启电压时，源极(S)到漏极(D)电阻极大，可以认为源极(S)到漏极(D)断路，则负载负极被负载电源正极拉高，负载不工作。

二、mos管电阻公式？

MOSFET选用原则 一、反应时间T(nS)： t n 分为： T(nS) 146 Td(n)(nS) 18 开启时间Tn 导通延迟时间Td(n)+上升时间Tr Tr(nS) 59 二、驱动功率P(mW)： 2 2 P= WF=0.5CU F=0.5*U *F*Q/U=0.5*F*QU 驱动功率P（mW） 14.5 栅源电荷Q（nC） 29 三、热效应E(J)： 相关： 通态电阻RDS（ON）

通态漏极电流ID（ON） 原则 关断时间Tff 判断延迟时间Td(ff)+下降时间Tf Td(ff)(nS) 11 Tf(nS) 58 栅源电压U（V） 10 驱动信号频率F（KHz） 100

三、mos管等效电阻？

等效电阻几个连接起来的电阻所起的作用，可以用一个电阻来代替，这个电阻就是那些电阻的等效电阻。也就是说任何电回路中的电阻，不论有多少只，都可等效为一个电阻来代替。而不影响原回路两端的电压和回路中电流强度的变化。

这个等效电阻，是由多个电阻经过等效串并联公式，计算出等效电阻的大小值。

也可以说，将这一等效电阻代替原有的几个电阻后，对于整个电路的电压和电流量不会产生任何的影响，所以这个电阻就叫做回路中的等效电阻。

四、mos管静态电阻多大？

最大漏极/源极电压VDSS（雪崩击穿电压）为600.0V，最大栅极/源极电压VGSS为±30V

• 最大漏极持续电流（DC）Id为20.0A，最大总耗散功率Pt为50.0W

• 静态漏源导通电阻Rds典型值为0.16Ω

• 最高沟道温度Tch为150.0℃

• 总栅极电荷量典型值Qg为87.0 nC

• 采用STO-220封装, 尺寸大小为13.2mm（W）X10.2mm（H）X4.7mm（D）

五、mos栅管极电流与什么有关？

漏极电流Id与漏源电压Vds和栅源电压Vgs皆有关系。 以N沟道增强型MOS管为例： 当Vgs一定时，Id随Vds的增大出现先增大再恒定最后激增的现象； 当Vgs>Vgsth增加时，Id也随之呈增大趋势。 以上是宏观特性，其微观特性依据沟道间导电层的厚度决定。

其它各型场效应管皆以N沟道增强型MOS管为模本，根据其自身特性进行具体分析。

六、mos管的栅电荷与什么有关？

栅极有个寄生电容，驱动的时候电流主要是给这个寄生电容充电，关断的时候电容就给地放电，假如你驱动电流频率是10K，那就是说每秒要给这个电容充电1万次，电容能量E=1/2CV平方，那么驱动功率W=E*K，电流在电阻上的回路几乎可以忽略，这就为什么说MOS管静态损耗小的原因，可是作为开关管的话，电流大小就跟频率成正比，栅极的寄生电容是并联在G S极的，这个就是回路。回答完毕

七、mos管栅极串联电阻作用？

MOS管栅极上串个小电阻的主要作用是: 改变管子栅极输入控制脉冲的前后沿陡度,以及防止寄生电容和电感形成的振荡, 减小输出电压尖峰,从而防止MOS管被烧坏。

简单的说MOS管的闸极有杂散电容有引线电感走线电感输入阻抗又高Q值大容易谐振,因此加个电阻或磁珠降低Q值让它不容易振荡。

八、mos管栅极电阻选取方法？

1、栅极电阻阻值的确定　　

各种不同的考虑下，栅极电阻的选取会有很大的差异。

初试可如下选取：IGBT额定电流(A)5010020030060080010001500Rg阻值范围(Ω)10~205.6~103.9~7.53~5.61.6~31.3~2.21~20.8~1.5不同品牌的IGBT模块可能有各自的特定要求，可在其参数手册的推荐值附近调试。

2、栅极电阻功率的确定　　

栅极电阻的功率由IGBT栅极驱动的功率决定，一般来说栅极电阻的总功率应至少是栅极驱动功率的2倍。IGBT栅极驱动功率 P＝FUQ，其中：F 为工作频率；U 为驱动输出电压的峰峰值；Q 为栅极电荷，可参考IGBT模块参数手册。例如，常见IGBT驱动器(如TX-KA101)输出正电压15V，负电压-9V，则U=24V，假设 F=10KHz，Q=2.8uC可计算出 P=0.67w ，栅极电阻应选取2W电阻，或2个1W电阻并联。

九、mos管的电阻有多大？

70到200欧姆

MOSFET内阻是指MOSFET在关断状态下的电阻值，一般来说，MOSFET的内阻值在70到200欧姆之间。如果MOSFET的内阻值超过200欧姆，可能会导致电路故障，因此需要检查MOSFET的内阻值。解决方法：1.首先，使用万用表测量MOSFET的内阻值，以确定是否超过200欧姆。2.如果内阻值超过200欧姆，则需要更换MOSFET，以确保电路的正常工作。3.如果内阻值低于200欧姆，则可以继续使用MOSFET，但应定期检查内阻值，以确保电路的正常工作。个人心得小贴士：MOSFET的内阻值对电路的正常工作至关重要，因此应定期检查MOSFET的内阻值，以确保电路的正常工作。

十、MOS管如何直接看电阻？

怎么测量mos管内阻

1：给mos管gs两端加上10V电压，导通mos管。

2：给mos管DS通过1A电流，可使用带限流的电源，把限流调到1a，电压调到0.1V。

3：用高精度万用表测量（六位半）测量MOS管DS端电压V。

MOS管的Ron=V/1A。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对MOS管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。