单片机复位电路中电容类型的选择？

一、单片机复位电路中电容类型的选择？

电容跟电阻的选择跟复位时间长短有关，一般选择R为10K，电容为10u或者22u。

二、复位电路中的电容是什么电容？

电阻的作用不是限制电流的大小,而是控制复位时间. 电容充电时间与RC的值成正比． 复位电路中的电容只是在上电那一会儿起作用，充电瞬间电容有电流流过，所以RST端得到高电平，充电结束后没有电流了，则RST端变为低电平。 晶振电路在单片机内部有相应的电路，电路里一定会有电源的。 让复位端电平与电源电平变化不同步 让复位端电平的上升落后于电源电平的上升，在一小段时间内造成这样的局面：

1.电源达到正常工作电源

2.复位电平低于低电平阈值（被当作逻辑0） 这种状态就是复位状态。仅用一个电阻是不可能同时实现这两条的。 复位，就是提供一个芯片要求的复位条件，一般是N个机器周期的固定电平。 低电平复位就是芯片可正常工作后保持N个以上周期的低然后变高即可。 高电平复位就是芯片可正常工作侯保持N个周期以上的高然后变低即可。

三、rc电路中电阻选择？

通常选择R1=R2=R，C1=C2=C，自然角频率=1/RC。那么怎么选择R和C呢？

因为电阻的精度很容易控制且成本低，一般是先根据常用电容标称值来选择电容。至于电容值大小则与滤波器的输出输入阻抗有关。采用有源滤波器时，基本可以忽略阻抗的影响。选定电容值后，就可以确定大致的电阻范围了。像800Hz这样的音频，一般选择0.01u~0.1u左右的电容。

例如C=0.047u，则R=4235欧，很显然R不是标准的标称值，但是可以采取电阻串联或者并联的方式来实现，毕竟电阻是非常便宜的。

四、电路中如何选择电阻？

1、选用电阻时，电阻的首要参数分类(包括标称阻值、额定功率和容许过错)有必要满足实验和设汁的需要。格外是电阻的额定功率·般恳求大干实习T作值的~2倍。

2、在高频电路中，应选用分布参数小的电阻二这儿所指的分布参数是指电阻的分布电感和分布电容。一般选非线绕电阻器，如碳膜电阻器、金属膜电阻器等。

3、在高增益前置拓宽电路中应选用噪声电动势小的电阻。这是因为各种类型的电阳都不相同程度地存在着噪声电动势，如构成碳膜和实芯电阻器的噪声电动势就高达几十干微幅和金属膜电阻器的噪声电动势小于1微伏。

4、不相同工作频率的电路应选用不相同种类的电阻。例如，线绕电阻器不适宜在高频电路中工作，但在低频电路巾仍可选用；高频电路中可选用分布参数小的膜式电阻器。

五、3.3v系统复位电路多大电容电阻？

一般电容选10UF左右 电阻选10K 与晶振关系不大。

复位电路是一种用来使电路恢复到起始状态的电路设备，它的操作原理与计算机有着异曲同工之妙，只是启动原理和手段有所不同

六、按键复位电路的电阻？

C1是让电路在加电时自动产生一个复位信号，R2在开关闭合时，作为C1的放电电阻，可要可不要的

七、实际应用dsp复位电路中，选择电阻大小有什么影响？

一般这个电阻是上拉或者是下拉电阻，一般选择10k就OK了。没有什么影响，能保证拉到0

活着是vcc就OK

八、为什么电路中串联电阻电容？

“电容本身电压与电容本身电流相位差90度”是电容这个元件的VCR关系。

因为：

要按照你说的，画个电路：

输出端的阻抗设一下，输出电压为Uo，求一下方程，所以输出信号的幅值和相位不仅仅与串联的R,C的值有关，也与所接的负载有关。如果按照你说后级开路，那就是Rx X趋向于无穷，输出信号和输入信号一样。

用Multisim仿真一下，符合结果

九、电路中电容如何大小如何选择？

在电路设计中，电容的选择取决于应用的要求和技术参数。以下是一些常见的选择要点：

1.应用要求：首先要确定电容所用于的具体应用场景，例如需要去除电源噪声、滤波降噪、保持稳定电压等。这将有助于确定所需电容的电容量、工作电压范围等。

2.频率特性：电容在电路中对不同频率的信号响应不同。因此，在选择电容时应根据应用中要处理的信号范围来选择电容。例如，滤波器中的电容应选择可以达到所需滤波频率的电容。

3.精度和稳定性：某些应用需要更高的电容精度和稳定性。例如，稳压电源中所用的电容应具有更高的精度和稳定性。

4.温度系数：不同类型的电容温度系数不同。应选择在操作温度范围内温度系数较小的电容。

5.体积和成本：便携式电子设备需要尽可能小而轻巧的元件，因此要选择体积较小的电容。同时，电容器成本也应考虑在内。

总的来说，在选择电容时，需要综合考虑应用场景、限制条件和成本等因素。一般来说，应进行详细的设计参数计算和仿真，以便确保所选电容符合所需的技术要求。

十、移相电路中电容和电阻的作用？

R的阻抗为实数，C的阻抗为1/（jwC），将电路的总阻抗算出来后，用阻抗的虚部与实部只比值求反正切就得到了相位变化量。 这样说应该清楚了吧把相位求出后，-180°为无相移。在-90°到-180°间为超前，-180°到-270°为滞后。电容与电路参数串联，分压作用增加，加到放大元件两端的有效信号减小产生超前。

同理，并联时可以算出是滞后的