1. euv光刻机中国
是duv光刻机和euv光刻机的区别，有代差。
国产光刻机目前是属于duv深紫外光光源光刻机，其光源波长为193纳米，也叫arf光刻机，是第四代光源光刻机。而euv光刻机是13.5纳米极紫外光光源光刻机，属于第五代光源光刻机。国产光刻机目前最高制程可以达到28纳米，目前处于待量产阶段。国产光刻机和euv光刻机有代差。
2. euv光刻机中国大陆
初代euv是2010年，真正商用量产机型是2016年。
2010年，阿斯麦公司首次推出概念性EUV光刻系统NXE 3100，从而开启光刻系统的新时代。2013年，阿斯麦推出第二代EUV系统NXE 3300B，但是精度与效率不具备10纳米以下制程的生产效益。2015年，阿斯麦又推出第三代EUV光刻系统NXE 3350。2016年，第一批面向生产制造的EUV系统NXE 3400B开始批量发售，NXE 3400B的光学和机电系统在技术上均有所突破，极紫外光源的波长缩短至13纳米，每小时处理晶圆125片。
3. euv光刻机中国部件
国产最新光刻机最先进的工艺是6纳米工艺的虎贲7520芯片。属于第二代5g网络芯片，其理论性能约等于联发科天玑800处理器水平。
缺点是良品率低，尤其对比市场上主流芯片良品率…而框架结构设计上也是欠缺，6纳米工艺制程芯片性能只能对比目前中端处理器，对比旗舰级别处理器差距明显，尤其驾驭硬性性能输出不够，跑分上落后很多。
国内产的芯片主要搭载中低端产品，其配置上更多搭载的是虎贲t310型号，工艺制程是12纳米技术，跑分约3.7万左右！实际操作上只能对比一下高通骁龙4系处理器，或者是联发科p30芯片。
4. 中国EUV光刻机
可以用euv光刻机，也可以用duv光刻机。
14纳米量产可以使用两种光刻机，一种是高端euv光刻机，一种是中端duv光刻机。euv光刻机是用于制造22纳米以下制程的，毫无疑问可以制造14纳米芯片。而duv光刻机可以在使用多次曝光等技术条件下最高达到7纳米制程，这个对技术要求非常高，目前全球也只有少数几家代工厂可以做到。
5. euv光刻机中国电子那台到货吗
除了EUV（极紫外光刻机），其它的都到货了的。
极紫外线光刻机是芯片生产工具，是生产大规模集成电路的核心设备，对芯片工艺有着决定性的影响。小于5纳米的芯片晶圆，只能用EUV光刻机生产。
中芯国际曾经向阿斯麦下单了一台EUV（极紫外线）光刻机，但受外部因素的影响而无法到货。
6. euv光刻机中国有几台
一共有四个厂家。
全球能制造半导体光刻机的厂家目前有四个，分别是荷兰阿斯麦尔、日本尼康和佳能、中国上海微电子。其中荷兰阿斯麦尔是唯一能够制造euv极紫外光光源光刻机的厂家，日本尼康和佳能、中国上海微电子能够制造duv光刻机。其他光刻机厂商基本都是制造后道光刻机的，技术含量和用途完全不同。