1. 极紫外光刻机有什么用
EUV极紫外光刻（Extreme Ultra-Violet）是一种使用极紫外（EUV）波长的新一代光刻技术，其波长为13.5纳米。由于光刻精度是几纳米，EUV对光的集中度要求极高，相当于拿个手电照到月球光斑不超过一枚硬币。反射的镜子要求长30cm起伏不到0.3nm，相当于北京到上海的铁轨起伏不超过1毫米。一台EUV光刻机重达180吨，超过10万个零件，需要40个集装箱运输，安装调试要超过一年时间。
2. 光刻机 极紫外线
需要定期更换。
光刻机光源是需要定期更换的，严格来说是光刻机的紫外光光源会随使用度而衰减而需要更换。晶圆厂一般是24小时不停机生产的，24小时高强度使用下，不仅光源系统中激发深紫外光或极紫外光光源的物质、物镜系统的透镜镀膜会不会损伤或剥落，从而需要定期更换，更换就不得不向美国、德国购买。
3. 深紫外光刻机与极紫外光刻机的区别
目前的光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV是深紫外线（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是极深紫外线（Extreme Ultraviolet Lithography）。前者采用极紫外光刻技术，后者采用深紫外光刻技术。EUV已被确定为先进工艺芯片光刻机的发展方向。
DUV已经能满足绝大多数需求：覆盖7nm及以上制程需求。DUV和EUV最大的区别在光源方案。duv的光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米。然而，euv激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为13.5纳米。
从制程范围方面来谈duv基本上只能做到25nm，Intel凭借双工作台的模式做到了10nm，却无法达到10nm以下。euv能满足10nm以下的晶圆权制造，并且还可以向5nm、3nm继续延伸。
duv和euv光刻机区别还有光路系统不同。
duv：主要利用光的折射原理。其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nm。
euv：利用的光的反射原理，内部必须为真空
4. 光刻机 极紫外
不是，最好的4纳米。
光刻机本身最高的应该是euv极紫外光光源波长的光刻机，其波长为13.5纳米。用euv光刻机可以制造22纳米以下制程的芯片，目前最高可商业量产芯片的制程为4纳米，分别是高通骁龙8移动平台系列和联发科天玑9000。而未商业量产阶段的芯片最高可以到3纳米制程。
5. 紫外光刻机是什么
简单来说EUV是UV紫外线中波段处于（10nm~100nm）的短波紫外线。而在光刻机工艺中通常定义在10 ~ 15 nm紫外线。
6. 光刻机的紫外光源
光刻机光源功率为250瓦。
光刻机光源功率并不都相同，比如365纳米波长的有用350瓦紫外灯，这种光刻机比较老了。拿目前代表新一代光刻机主流的EUV光刻机举例。荷兰ASML公司的EUV光刻机使用的光刻技术是波长为13.5纳米的光源，功率约为250瓦。前面提到：大功率的EUV光源是EUV光刻机的核心基础，伴随着芯片制程的不断进步，芯片代工商对EUV光源的要求将不断提升。
7. 极紫外光刻机研制究竟有多难
因为设计产生极紫外光源，必须突破传统激光器输出功率低、光刻能量小、紫外光容易被其他材料和空气吸收等一系列难题。光源工作时，需要以5万次/秒的频率，用功率20千瓦的激光来击打20微米的锡滴，使液态锡汽化为等离子体，从而产生波长短的极紫外光，才能提升光刻机所能实现的最小工艺节点，使芯片制造朝更高的工艺精度迈进。
研制极紫外光刻机的难度，堪比昔日研制原子弹。目前，世界上还没有一个国家能独立研制极紫外光刻机。