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硅光电池操作步骤?

来源:www.haichao.net  时间:2023-09-18 13:33   点击:185  编辑:admin   手机版

一、硅光电池操作步骤?

1)测量硅光电池对光的敏感度将万用表置于直流电压挡1OV量程上,万用表的红表笔接证极,黑表笔接负极,以25W白炽灯作为光源,让硅光电池距白炽灯为0.O5m、O.5m、1m的三个距离时,测其电池的开路电压,则可得到3.5V、1.8V、0.9V的三个电压值,说明电池离光源越近,开路电压越高,进而说明电池对光源有不同的敏感度,表明该硅光电池是好的。如果测得的三个电压值相差不多,表明电池对光的敏感度不够,

其性能不良,不宜采用。

2)测量硅光电池的电阻将万用表置于Rx1k挡或Rx100挡,万用表的红、黑表笔分别接电池的证、负极,将硅光电池分别置于暗处与25W白炽灯赴,看其电阻值是否有变化,一般情况下,暗处阻值为无穷大,25W灯处电阻为15kΩ左右。表明该电池良好,如果阻值无明显变化,表明电池性能不良。

二、硅光电池多少钱?

价格依时期有波动,各个阶段不一,现在多晶高效硅片5元人民币左右,单晶硅片6元人民币左右

三、硅基发光电池概念?

指的是硅基太阳能电池板,是目前主流的太阳能发电设备, 其拥有发展历程长、制造成本低、光电转换效率高等优势。

硅基太阳能电池板主要由电池片、玻璃、背板、EVA (Ethylenevinyl acetate) 、铝框、接线盒等部分构成, 如何选择价格成本低, 运行可靠性高的部件, 已成为各电池厂家的主要研究课题。

四、硅光电池的工作原理?

硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件。

硅光电池的工作原理是光生伏特效应。当光照射在硅光电池的pN结区时,会在半导体中激发出光生电子一空穴对。pN结两边的光生电子一空穴对,在内电场的作用下,属于多数载流子的不能穿越阻挡层,而少数载流子却能穿越阻挡层。结果,p区的光生电子进入N区,N区的光生空穴进入p区,使每个区中的光生电子一空穴对分割开来。光生电子在N区的集结使N区带负电,光生电子在p区的集结使p区带正电。p区和N区之间产生光生电动势。当硅光电池接人负载后,光电流从p区经负载流至NE,负载中即得到功率输出。

五、使用硅光电池有污染吗?

。硅是一种半导体材料,可制作硅光电池,硅光电池能把太阳能直接转换成电 能,且完全不会造成污染。

六、硅光电池的优点是什么?

无污染,是绿色能源,平均硅光电池使用寿命是25年,主要是目前价格比较高,现在电池平均在3.3元/瓦。家庭用还是比较奢侈的。

七、硅光电池正负极接法?

用数字万用表的二极管档测量导通时,红表笔接的是晶体硅的正极。

八、硅光电池的发电效率是多少?

70%。按照目前晶体硅电池的转换效率,1平米的组件功率大概在100~120W,在标准光照条件下1小时的发电量为(100~120W)×70%(系统效率),各地全体的日照辐射换算成标准日照大概在3~4小时,也就是一天大概发电量为:0.0.3度左右.所以硅光电池的发电效率70%

九、曲硅光电池线因子怎么计算?

硅光太阳能电池的填充因子一般是60~85%,   填充因子,FF,是太阳能电池品质(串联电阻和并联电阻)的量度。填充因子FF定义为实际的最大输出功率除以理想目标的输出功率(Isc×Voc)      上式只适用于理想情况下,即没有寄生电阻损失的情况。数值可精确到四位   数字。   由式(7.10)可见,FF是太阳能电池I?V特性曲线内所含最大功率面积与开路短路相应的矩形面积(理想形状)比较的量度。很清楚,FF应尽可能接近于1(即100%),但指数函数的p-n结特性会阻止它达到1。FF越大,太阳能电池的质量越高。FF的典型值通常处于60~85%,并由太阳能电池的材料和器件结构决定。

十、硅光电池性能测试具体步骤?

1)测量硅光电池对光的敏感度将万用表置于直流电压挡1OV量程上,万用表的红表笔接证极,黑表笔接负极,以25W白炽灯作为光源,让硅光电池距白炽灯为0.O5m、O.5m、1m的三个距离时,测其电池的开路电压,则可得到3.5V、1.8V、0.9V的三个电压值,说明电池离光源越近,开路电压越高,进而说明电池对光源有不同的敏感度,表明该硅光电池是好的。如果测得的三个电压值相差不多,表明电池对光的敏感度不够,

其性能不良,不宜采用。

2)测量硅光电池的电阻将万用表置于Rx1k挡或Rx100挡,万用表的红、黑表笔分别接电池的证、负极,将硅光电池分别置于暗处与25W白炽灯赴,看其电阻值是否有变化,一般情况下,暗处阻值为无穷大,25W灯处电阻为15kΩ左右。表明该电池良好,如果阻值无明显变化,表明电池性能不良。

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