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杂散电感引起电压尖峰(Rc电路c的作用?)

来源:www.haichao.net  时间:2023-02-23 20:42   点击:299  编辑:admin   手机版

一、Rc电路c的作用?

RC电路中电容C的主要作用是吸收。

开关管关断时,由于杂散电感等引起的电压峰尖。由于杂散电感受电路布局等的影响,不易直接测量,通常采用实验方法得到。

其一般方法为,在没有任何吸收电路是,运用示波器观察开关管关断时其波形振荡情况,从而得到此时振荡周期T1;其后在此开关管两端并上一个已知容值的测量电容C0,在同等条件下,观察此时的振荡周期T。

二、igbt关断尖峰电压高的原因?

在光伏逆变器等大功率应用场合,主电路(直流电容到IGBT模块间)存在较大杂散电感(几十到数百nH)。IGBT关断时,集电极电流下降率较高,即存在较高的dioff/dt,在杂散电感两端感应出电动势,方向与直流母线电压一致,并与直流母线一起叠加在IGBT两端。从而使IGBT集电极-发射极间产生很大的浪涌电压,甚至会超过IGBT额定集射极电压,使IGBT损坏。

传统的无源缓冲吸收电路(RC)在大功率应用场合,吸收IGBT关断尖峰电压时损耗较大,有时会使吸收电路温升过高,造成额外的风险,而且吸收电路占用较大体积 。IGBT关断时若发生短路,尖峰电压更高,会出现保护死区,易造成IGBT损坏。

目前国内外生产的大功率IGBT驱动器采用检测导通饱和压降的方法进行短路保护及软关断。采用瞬态电压抑制器(TVS)有源箝位的方法,能够较好地抑制浪涌电压,而且能解决IGBT关断时发生短路而导致驱动器短路保护失效的问题。有源箝位电路可以直接在驱动器上设计,节省体积,损耗小,成本低,抑制速度快,可靠性较高。

三、吸收电容工作原理?

吸收电容在电路中起的作用类似于低通滤波器,可以吸收掉尖峰电压。通常用在有绝缘栅双极型晶体管(IGBT),消除由于母排的杂散电感引起的尖峰电压,避免绝缘栅双极型晶体管的损坏。

吸收电容具有双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术,使电容具低感抗,多条引线设计,可承受更高纹波电流,高du/dv以及高过压能力。用于各类IGBT缓冲线路突波吸收,各类高频谐振线路。

四、igbt吸收电容怎么选?

IGBT吸收电容的选择标准是吸收电容在电路中起的作用类似于低通滤波器,可以吸收掉尖峰电压。通常用在有绝缘栅双极型晶体管,消除由于母排的杂散电感引起的尖峰电压,避免绝缘栅双极型晶体管的损坏。希望它愈小愈好。要减小这些电感,需从多方面入手。直流母线要尽量地短;缓冲电路要尽可能地贴近模块;选用 低电感的聚丙烯无极电容。

五、igbt为什么并联一个电容?

此电容又名突波吸收电容,在电路中起的作用类似于低通滤波器,可以吸收掉尖峰电压。消除由于母排的杂散电感引起的尖峰电压,避免IGBT的损坏。

六、IGBT吸收电容的选择标准是什么?

IGBT吸收电容的选择标准是吸收电容在电路中起的作用类似于低通滤波器,可以吸收掉尖峰电压。通常用在有绝缘栅双极型晶体管,消除由于母排的杂散电感引起的尖峰电压,避免绝缘栅双极型晶体管的损坏。希望它愈小愈好。要减小这些电感,需从多方面入手。直流母线要尽量地短;缓冲电路要尽可能地贴近模块;选用 低电感的聚丙烯无极电容。

七、制动单元上电炸了什么原因?

爆炸的本质是发热功率超过散热功率,内部原因应该就是过热。

  人为因素:

  (1)进线接在出线的端子上

  (2)变频器接错电源

  (3)没按要求接负载

  常见原因:

  (1)过电流 :一种是负载短路,另一种是控制电路处逻辑受干扰,导致上下桥臂元件直通。

  (2)绝缘的损坏

  (3)过电压 :通常是线路杂散电感在极高的di/dt作用下产生的尖峰电压而造成,解决的办法就是设计高性能吸收回路,降低线路杂散电感。

  (4)过热 :IGBT不能完全导通,在有电流的情况下元件损耗增大,温度增加导致损坏。

  (5)通讯误码率 a.通讯一段时间后,突然的错误信息导致IGBT误导通使 IGBT爆炸;b.通讯板FPGA程序运行不稳定导致IGBT误导通使IGBT爆炸

八、igbt电源发出高频刺耳的噪音?

解决办法,IGBT 的开关会使用相互电位改变,PCB 板的连线之间彼此不宜太近,过高的 dv/dt会由寄生电容产生耦合噪声。要减少器件之间的寄生电容,避免产生耦合噪声。

由于 IGBT 等功率器件都存在一定的结电容,所以会造成器件导通关断的延迟现象。虽然我们尽量考虑去降低该影响(提高控制极驱动电压电流,设置结电容释放 回路等)。

但是为了防止关断延迟效应造成上下桥臂直通,因为一个桥臂未完全关断,而另一桥臂又处于导通状态,直通炸模块后后果非常严重(最好的结果是过热)。可以降低输入信号的干扰,去除电路中的电磁噪声,使得IGBT的驱动更加可靠,并且极大地降低了IGBT以及系统地电磁干扰等特点,以下是减少IGBT噪声的一些设计原则:

  栅极电阻:其目的是改善控制脉冲上升沿和下降沿的斜率,并且防止寄生电感与电容振荡,限制 IGBT 集电极电压的尖脉冲值。

  栅极电阻值小——充放电较快,能减小开关时间和开关损耗,增强工作的耐固性,避免带来因 dv/dt 的误导通。缺点是电路中存在杂散电感在 IGBT 上产生大的电压尖峰,使得栅极承受噪声能力小,易产生寄生振荡。

  栅极电阻值大——充放电较慢,开关时间和开关损耗增大。一般的:开通电压15V±10%的正栅极电压,可产生完全饱和,而且开关损耗最小,当≤12V 时通态损耗加大,≥20V 时难以实现过流及短路保护。关断偏压-5到-15V 目的是出现噪声仍可有效关断,并可减小关断损耗最佳值约为-8~10V。

  栅极驱动的印刷电路板布线需要非常注意,核心问题是降低寄生电感,对防止潜在的振荡,栅极电压上升速率,噪音损耗的降低,降低栅极电压的需求或减小栅极保护电路的效率有较大的影响。 因此将驱动至栅极的引线加粗,将之间的寄生电感减至最低。控制板与栅极驱动电路需要防止功率电路和控制电路之间的电感耦合。

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