1. igbt的ce极击穿原因
检查负载是否有短路造成短时间内IGBT过热烧坏击穿；检查控制信号波形是否正常，造成没有工作在开关区，可以看看脉冲形成电路元件是否变值；原来好好的电路不会是配对问题
2. igbt门极击穿
集电极与发射极之间的电压高于最高工作就会击穿。通常由IGBT从闭合(close)到打开(open)过程中电流突然下降造成的尖峰电压(voltage spike)所导致，因为在IGBT以及电路中会有不可避免的感性阻抗。
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
3. igbt的ge击穿
造成电磁炉IGBT炸管的原因是非常多的，如果IGBT的推动三极管8050和8550对管损坏，3.3微法谐振电容五微法滤波电容容量减小这些因素都会导致IGBT击穿短路，另外为8050850推动管提供工作电压的18伏稳压二极管如果损坏也会导致IGBT炸管。
4. IGBT击穿原因
你换的桥堆是不是好的啊？另外一定还有其他损坏的二极管没换才会这样
5. igbt为什么会击穿
此故障一般带有其它的元件损坏一起出现，如IGBT、整流桥堆也一起击穿等，换上新的保险管后，不要马上上电试机，否则可能会再次引起烧保险管。 电磁炉烧IGBT的原因： 一、IGBT驱动电路。驱动电路三极管导通不良时，激励不足，引发IGBT过耗损坏；G极泄放电阻开路时，会引起上电即烧IGBT和关机后IGBT自行击穿的现象。限幅稳压二极管漏电后对驱动信号有影响，引发IGBT过耗损坏。 二、305V供电回答。若整流桥或滤波电容异常导致305V电压低时，可以引起IGBT导通角增大，LC频率升高等异常现象，会引起IGBT过流过压损坏。 三、18V供电回答。当18V电压偏低时，会导致激励不足的过耗损坏。18V电压偏高时一般不会危及IGBT安全。 四、LC谐振回路。谐振电容变小后，谐振频率上升，IGBT截止时间缩短内耗增回而损坏。谐振电容开路后，IGBT因没有LC振荡的阻尼作用导致过流损坏。 五、IGBT高压保护。锅具材质不同，LC产生的谐振电压峰值也不同，有些会高于IGBT耐压值，这种情况下需要对IGBT进行保护。当保护电路失效时，LC谐振电压过高时损坏IGBT. 六、代换IGBT不匹配。电磁炉设计时，不仅要考虑元件参数指标，最重要的还要考虑到电磁炉的热效率。参数值高的IGBT也不一定能代换。（整机振荡控制电路是非常精密的。）
6. IGBT击穿
原因一：0.3uF/1200V谐振电容、5uF/400V滤波电容损坏或容量不足
在电磁炉中，若0.3uF/1200V谐振电容、5uF/400V滤波电容容量变小、失效或特性良,将导致电磁炉LC振荡电路频率偏高，从而引起功率管IGBT管损坏，经查其他电路无异常时，我们必须将0.3uF和5uF电容一起更换。
原因二：IGBT管激励电路异常
振荡电路输出的脉冲信号不能直接控制IGBT管饱和、导通与截至，必须通过激励电路将脉冲信号放大来完成。如果激励电路出现故障，高电压就会加到IGBT管的G极，导致IGBT管瞬间击穿损坏。常见为驱动管S8050、S8550损坏。
原因三：同步电路异常
同步电路在电磁炉中的主要是保证加到IGBT G极上的开关脉冲前沿与IGBT管上VCE脉冲后沿同步。当同步电路工作异常时，导致IGBT管瞬间击穿损坏。
原因四：18V工作电压异常
在电磁炉中，当18V工作电压异常时会使IGBT管激励电路、风扇散热系统及LM339工作失常导致IGBT管上电瞬间损坏。
原因五：电磁炉工作在大电流状态下,其发热量也大，如果散热系统出现异常会导致IGBT管过热而损坏。
原因六：单片机异常
单片机内部异常会因工作频率异常而烧毁IGBT管。
原因七：VCE检测电路异常
VCE检测电路将IGBT管集电极上的脉冲电压通过电阻分压、取样获得其取样电压，此电压变化的信息送入CPU，CPU检测该电压的变化，做出各种相应指令。当VCE检测电路异常时，VCE脉冲幅度值超过IGBT管极限值，从而导致IGBT管损坏。
原因八：用户锅具变形或锅底凹凸不平
在锅底产生的涡流不能均匀地使变形的锅具加热，从而使锅底温度传感器检温失常，CPU因检测不到异常温度而继续加热，导致功率管的损坏。
7. igbt过压击穿后的状态
现象主要有制动电流突然增大,变频器没有运行时也有制动电流,制动电阻温度升高发红。IGBT击穿一般是过压或者过流，还有就是过温了，门极电压超过规定的范围会导致G-E击穿，C-E间的电压超过Vces也会击穿，而且过压是很容易将IGBT击穿的，比如关断的时候电压尖峰过大，超过了Vces的电压就有可能击穿，而导致电压尖峰过大的原因主要是IGBT所在回路的寄生电感过大或者di/dt过大造成的，可以通过调整门极电阻来控制。
8. igbt雪崩击穿
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9. IGBT击穿短路
IGBT发生短路时，电流上升至4倍额定电流以上，最终IGBT是要将这个电流关断掉的，这时的电流的数值比平常变流器额定工作时的电流高了很多，所以此时产生的电压尖峰也是非常高的。为了防止电压尖峰损坏IGBT，还需要引入——有源钳位电路，但并不是所有的驱动电路都需要配备有源钳位功能，容量比较大的IGBT，就比较有必要配置此电路。
对于小功率IGBT模块，通常采用直接串电阻的方法来检测器件输出电流，从而判断过电流故障，通过电阻检测时，无延迟；输出电路简单；成本低；但检测电路与主电路不隔离，检测电阻上有功耗，因此，只适合小功率IGBT模块。
10. IGBT击穿电压
IGBT管反向击穿电压一般都在600v以上，具体视规格，电压超过，电流能控制住一般不会马上击穿，这是晶体管的电击穿(是导通，可以恢复），但是，由于电流升高导致所谓热击穿就是永久击穿了
