一、焊机可控硅好坏判断方法？
与普通单管可控硅检测方法一样，1、用万用表电阻档两驱动阻值在10-200欧姆，过高过低都有问题；10K档量可控硅间无穷大，有阻值就坏了。
2、给驱动施加一个1·5伏电压，用表二极管档量可控硅间是否有单相导通，无，就坏了。一般模块上都有连线图，只不过是两个、三个而已。
二、可控硅绝缘电阻，阻值多少可以认为是好的？
对可控硅，一般说反向漏电流吧？电阻看你用什么量，万用表量大概超过5M欧。
三、可控硅的rc吸收电路参数型号的选择？
推荐你选择39Ω/10W电阻和0.1μf/630V电容。具体RC参数选择，与你的可控硅特性参数及回路要求的关断过冲都有关系。但是一般会有一个大致的范围，来满足要求，确保可控硅不会损坏。一般来说，C值选的大一点，可控硅的耐压可以相对低一些。比如你选C=0.01μf，那么，你的可控硅应该选择额定电压1000V以上。换句话说，如果你选择了600V的可控硅，那么你的阻尼电容C就至少应该大于等于0.1μf。
四、平板可控硅阻值多少？
平板可控硅阻值600a。
600A的平板可控硅的控制极正反向电阻是：门极阻值大约15到30之间阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。
五、可控硅阻值多少正常？
可控硅阴阳极阻值应该为无穷大（指针式万用表10k档：指针基本不动。）
六、可控硅阴极与门极有多少电阻？
正常情况下可控硅阴极与门极的电阻大约为：一般在20欧左右,因为如果电阻过大,出发电流就小,使得触发导通不成功,过小触发时易烧坏
七、rc吸收电阻的阻值？
rc吸收电阻10w阻值
推荐你选择39Ω/10W电阻和0.1μf/630V电容。具体RC参数选择，与你的可控硅特性参数及回路要求的关断过冲都有关系。但是一般会有一个大致的范围，来满足要求，确保可控硅不会损坏。一般来说，C值选的大一点，可控硅的耐压可以相对低一些。比如你选C=0.01μf，那么，你的可控硅应该选择额定电压1000V以上。换句话说，如果你选择了600V的可控硅，那么你的阻尼电容C就至少应该大于等于0.1μf。
八、rc吸收电路的参数选择？
电容的选择
C=(2.5-5)×10的负8次方×If
If=0.367Id
Id-直流电流值
如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)
可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF
选用2.5mF，1kv
的电容器
电阻的选择：
R=((2-4)
×535)If=2.14-8.56
选择10欧
PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)2
Pfv=2u(1.5-2.0)
u=三相电压的有效值
阻容吸收回路在实际应用中，RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。
小功率负载通常取2毫秒左右，R=220欧姆1W，C=0.01微法400~630V。
大功率负载通常取10毫秒，R=10欧姆10W，C=1微法630~1000V。
R的选取：小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻；大功率选RX21线绕或水泥电阻。
C的选取：CBB系列相应耐压的无极性电容器。
看保护对象来区分：接触器线圈的阻尼吸收和小于10A电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴；接触器触点和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。
九、双向可控硅触发电阻多大阻值？
用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。 检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。