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霍尔传感器与磁电传感器的区别(霍尔传感器与磁电传感器的区别与联系)

来源:www.haichao.net  时间:2023-01-19 02:33   点击:275  编辑:admin   手机版

1. 霍尔传感器与磁电传感器的区别与联系

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。

霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。

2. 电磁传感器和霍尔传感器检测上有啥区别

电磁传感器是利用电磁感应原理,将输入运动速度变换成感应电势输出的传感器,不需要辅助电源,就能把被测对象的机械能转换成易于测量的电信号;

霍尔传感器是利用霍尔效应原理,洛仑兹力的作用下,偏置电流I的电子流在通过霍尔半导体时向一侧偏移,使该片在CD方向上产生电位差,产生霍尔电压,需要辅助电源才能正常工作。

3. 霍尔传感器是磁电式传感器吗

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。

霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。霍尔传感器技术在汽车工业中有着广泛的应用,包括动力、车身控制、牵引力控制以及防抱死制动系统。霍尔传感器可以采用金属和半导体等制成,效应质量的改变取决于导体的材料,材料会直接影响流过传感器的正离子和电子。制造霍尔元件时,汽车工业通常使用三种半导体材料,即砷化镓、锑化铟以及砷化铟。最常用的半导体材料当属砷化铟。霍尔传感器的形式决定了放大电路的不同,其输出要适应所控制的装置。这个输出可能是模拟式,如加速位置传感器或节气门位置传感器,也可能是数字式。如曲轴或凸轮轴位置传感器。当霍尔元件用于模拟式传感器时,这个传感器可以用于空调系统中的温度表或动力控制系统中的节气门位置传感器。霍尔元件与微分放大器连接,放大器与NPN晶体管连接。磁铁固定在旋转轴

4. 霍尔传感器与磁电传感器的区别与联系视频

       磁电式传感器不需要工作电源,产生的信号为模拟交流信号,信号强度与转速成正比,结构简单成本低。

       霍尔传感器需要5v的工作电源,产生的信号是数字方波信号,信号强度与转速无关,结构复杂成本较高。

5. 霍尔传感器与磁感应传感器的区别是什么

表示在单位磁感应强度和单位控制电流时的霍尔电势的大小。

UH=RH*IC*B/d(1),式中RH称为霍尔系数,它的单位是米的三次方每库仑。

霍尔元件应用的基本原理是霍尔效应。霍尔效应是一种磁敏效应,一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场,则在宽度Y方向上会产生电动势UH,这种现象即称为霍尔效应。UH称为霍尔电势,其大小可表示为:

UH=RH*IC*B/d(1)

式中,RH称为霍尔系数,它的单位是米的三次方每库仑,由半导体材料的性质决定;d为半导体材料的厚度,IC 为电流,B为磁场强度

设RH/d=K,则式(1)可写为:

UH=K*IC*B (2)

可见,霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比,K称为乘积灵敏度。K值越大,灵敏度就越高;元件厚度越小,输出电压也越大。

在式(2)中,若控制电流IC,为常数,磁感应强度B与被测电流成反比,就可以做成霍尔电流传感器;另外,若仍固定IC为常数,B与被测电压成正比,又可制成霍尔电压传感器。

霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是美国物理学家霍尔(A.H.Hall,1855-1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。

当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这一现象便是霍尔效应。这个电势差也被叫做霍尔电势差。

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