1. 谁讲解光刻机
设计和制造环节最具价值。
芯片产业链分上下游，其中芯片的设计和制造属于上游高端产业。设计方面有高通、联发科、英特尔、海思麒麟等非常有名的公司。芯片产业链的制造方面分为设备制造和芯片制造。目前整个芯片产业链中能制造芯片设备中高端光刻机的也就四家，而能利用光刻机制造中高端芯片的基本上就是台积电、三星、英特尔等几家。芯片产业链中属设计和制造最有价值，其他还有配套的原材料、封装测试、商业应用等。
2. 光刻机简单介绍
根据其官网介绍，当前最先进的光刻机当属600系列光刻机，最高的工艺制程能够达到90nm。通过对比不难发现，国内光刻机与ASML公司之间差距巨大。据相关消息透露，2021年至2022年将会交付第一台28nm工艺的国产沉浸式光刻机。
光刻机内部涉及精密元器件较多，即便是ASML公司也是通过全球采购来解决该问题，例如美国的光源，德国的镜头等。短期内，国内光刻机企业想要追赶上ASML公司并不现实。
3. 光刻机光刻
可以刻几层至几十层，甚至上百层。
光刻机刻制芯片，根据芯片的设计需求，可以刻制少到几层，多到几十层甚至上百层。光刻工艺按照芯片设计布图(Layout)，一层一层把不同的半导体材料制作在硅片上，最后形成了一个有结构的电路元器件层。简单的设计可能仅需要两三层，像闪存芯片可以刻制到一百多层。比如麒麟990就刻制了87层。
4. 最精确的光刻机
光刻机最大噱头是光源为13.5纳米的ASML光刻机，台积电用这型号光刻机，实现了5纳米制程，而英特公司和三星公司没有做到，特别要注意这里不是五纳米线宽，而是制程。线宽是光刻机的性能指标，是长度单位，极限值是衍射极限值，一般接近波长值，大于波长值，所以很容易有这样的错误想法：
注意台积电实现了5纳米制程，而不是ASML光刻机实现的，三星也用了，它至今没有达到5纳米制程，特别要注意不是达到了5纳米线宽。但是，很多人在混淆这个概念，直接就说ASML光刻机是5纳米光刻机，国产只能实现90纳米。如果理解成线宽，都接近或微微超过半宽度，如果这样理解，国内又无法开发出13.5纳米光源，赶上和超越ASML光刻机，只能是水中捞月的空幻。
所以，一定要注意线宽和制程的区别！ASML的光刻机只能接近衍射极限，台积电的制程是台积电的说法，只说明用的比三星英特好，制程不是长度概念。第二，衍射极限接近波长不准确，应该是衍射极限值=波长/Na，Na值在0.05到0.75之间。13.5纳米光源由于只能采用离轴光路，这是致命的，又只能采用反射式光路，球差和平场两个要求难保证，所以一般Na值0.05。而193纳米光源水浸润后相当于132纳米光源，Na值一般0.5。所以两种光源几乎无差异。而193纳米光源特殊设计镜头， 使Na值达0.75，就有可能达到比13.5纳米更好的效果。
第三，那么台积电的制程比三星和英特更好又是什么回事？使用光刻机还有几个因素：一，光刻胶，布胶是有讲究的，它也决定最后刻线宽度。二，电路的掩膜制造，也决定最终线宽。三，五纳米制程的真实的线宽是，每平方毫米5000万只晶体管，每平方微米50只，单个晶体管占20000平方纳米，也就是平均140纳米的见方。比起13.5纳米波长，相差十倍多，所以对193纳米浸润后的光源相当于132纳米，都在衍射极限以内。
我最近关于麦氏方程组的研究，发现这个衍射极限值是否是它，我已经怀疑，这是以后的事。第四，刻线宽度是否可以突破上述这个值，不完全取决于这个值，还和光刻机的使用有关系，这个可以用衍射理论说清楚的，这里我不讲。第五，本来光刻机和它的应用，已经触及衍射极限，本该有一个基础理论的重大突破，它的意义远远大于光刻机的极限线宽。
5. 光刻机是怎么做的
背景技术：
镜头是将拍摄景物在传感器上成像的器件，相当于相机的“眼睛”，通常由几片透镜组成，光线通过时，镜片们会层层过滤杂光(红外线等)，所以，镜头片数越多，成像就越真实。目前对焦镜头里，都是使用凸透镜和凹透镜的组合，利用光的折射原理，把光导到传感器的成像面上。为了更加镜头解析力与对比度并保证画面质量，给镜头的片数和结构带来了一定的限制，导致镜头的厚度无法做薄，不满足当前设备的轻薄要求。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明实施例为解决现有技术中存在的问题而提供一种光刻镜片的制作方法和镜头。
本发明实施例的技术方案是这样实现的：
一方面，本发明实施例提供一种光刻镜片的制作方法，所述方法包括：
在基材的表面上涂覆光刻材料；
利用光刻掩膜板对光刻材料进行刻蚀；其中，所述光刻掩膜板上具有多个具有预设的形状的掩膜图形，在每一所述掩膜图形上不同位置的透光率不同；
对刻蚀后的光刻材料进行固化处理，得到光刻镜片。
另一方面，本发明实施例提供一种镜头，所述镜头至少包括沿物方到镜方共轴设置的第一镜片、第二镜片和第三镜片，其中：
第一镜片用于将入射光线进行聚光；
第二镜片用于将经过所述第一镜片的入射光进行均匀发散，形成平行于轴向的光；
第三镜片用于将经过第二镜片的入射光进行聚光，使得聚光后的光线照射到感光芯片。
本发明实施例提供一种光刻镜片的制作方法和镜头，其中，首先在基材的表面上涂覆光刻材料；利用光刻掩膜板对光刻材料进行刻蚀；其中，所述光刻掩膜板上具有多个具有预设的形状的掩膜图形，在每一所述掩膜图形上不同位置的透光率不同；对刻蚀后的光刻材料进行固化处理，得到光刻镜片；如此，能够利用光刻技术做出具有一个个小槽的光刻镜片，从而利用小槽引导光路，进而能够减少镜头中镜片的片数，降低镜头的高度。
6. 光刻机刻什么
关于光刻机，主要分为前道光刻机和后道光刻机。
前道光刻机是芯片制造过程中使用，就是把高纯硅做成的一大片圆形的晶圆上通过光刻机刻出一个一个的芯片，而后道光刻机就是把芯片用陶瓷或者树脂等封装起来。
在前道光刻机上，上海微电子能够量产90nm光刻机，正在攻坚更先进光刻机。
更先进的光刻机机就是现在需求最大的DUV光刻机，中芯国际如今正大举扩产成熟制程芯片产能，目前需要从ASML购买，如果国产能够交付，那将是重大的突破。
因此，在前道光刻机上，我们差距还很大，更别说还有更先进的EUV光刻机了。