1. 248nm光刻机
紫外光源曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。常见光源分为:可见光：g线：436nm紫外光（UV），i线：365nm深紫外光（DUV）,KrF 准分子激光：248 nm, ArF 准分子激光：193 nm极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm对光源系统的要求a.有适当的波长。波长越短，可曝光的特征尺寸就越小；[波长越短，就表示光刻的刀锋越锋利，刻蚀对于精度控制要求越高。]b.有足够的能量。能量越大，曝光时间就越短；c.曝光能量必须均匀地分布在曝光区。[一般采用光的均匀度 或者叫 不均匀度 光的平行度等概念来衡量光是否均匀分布]常用的紫外光光源是高压弧光灯（高压汞灯），高压汞灯有许多尖锐的光谱线，经过滤光后使用其中的g 线（436 nm）或i 线（365 nm）。对于波长更短的深紫外光光源，可以使用准分子激光。例如KrF 准分子激光（248 nm）、ArF 准分子激光（193 nm）和F2准分子激光（157 nm）等。曝光系统的功能主要有：平滑衍射效应、实现均匀照明、滤光和冷光处理、实现强光照明和光强调节等。
2. 7nm光刻机
中芯国际7nm用的14nm光刻机
3. 22nm光刻机
目前全球最先进的光刻机已经可以实现5nm的工艺制程了，它是荷兰ASML公司的极紫外光刻机（EUV），是目前全球最顶尖的光刻机设备。
中国目前最先进的光刻机应该是22nm的，它的关键部件可以实现国产化了。但中国已经可以实现14nm芯片的量产了，这是中芯国际取得的一个重大成绩。
4. 180nm光刻机
目前全球唯一能够制造euv光刻机的只有荷兰阿斯麦尔一家，并且是由几十个国家参与，十几个国家最尖端的零部件组合而成。其重量达到180吨，零部件多达十万个，就连安装调试都需要一年时间。
就比如其极紫外光光源，是用激光瞬间轰击几万个锡滴微粒而产生的，就这个精准的操作目前全球只有美国能量产。
还有蔡司镜头，其镜头平面精度要求起伏低于将一缕头发放在地球大小的平面上。
5. 248nm光刻机可以做多少nm芯片
两者光源波长不同。
arf和krf光刻机最大区别是光刻机的光源波长不同，其中krf波长为248nm，arf波长为193nm，arf光刻机的分辨率更好，技术含量更高。arf和krf都属于深紫外光范畴，也都是duv光刻机应用光源，但是光源技术上相差一代。另外，由于光源波长不同两者的光刻胶也不能通用。
6. 光刻机 28纳米
2013年之前。
荷兰阿斯麦尔的euv光刻机是于2013年面世的，应用于22纳米以下制程，为第五代光刻机。而28纳米光刻机实际上是由第四代光源193纳米深紫外光为光源的，通过浸润式的技术把光源压缩到132纳米。所以在euv面世之前都是duv光刻机来加工芯片的，并没有独立的28纳米光刻机。