1. 如何造光刻机
近日，我国上海微电子已经宣布研发出来了28纳米光刻机，可能2021年将生产出来成品。这个28纳米光刻机一下子就让我国光刻机水平达到了世界第二先进的状态，可以说在全球范围内仅次于荷兰ASML公司了。现在来说，28纳米的光刻机足够生产出来我国军用和民用说需要的大部分芯片了。
原来，我们国家一直在光刻机方面进行着研究，但是由于更高精度的光刻机原来应用的范围比较窄，研发成本比较高，可能并没有下大力气去研究。现在我国华为在芯片设计领域已经取得了突破，成功推出了7纳米的麒麟990芯片，而且已经研发出了5纳米的麒麟1020芯片，但是却遭遇了芯片断供，这个就让我国EUV光刻机的研发一下子成为了关键。而在压力之下，相信我国科研院所只要是想干，拿出来搞两弹一星的精神，那么可能用不了多长时间我国的EUV光刻机就能够获得突破了。
2. 能造光刻机
我国早就能制造光刻机了，这和专利限制无关。
目前全球能够制造光刻机的国家有三个，一共四家公司可以制造光刻机，荷兰阿斯麦尔、日本尼康和佳能、中国上海微电子。其中唯一能制造高端euv光刻机的只有一家就是荷兰阿斯麦尔，其他三家是duv光刻机。专利限制只是制约的一方面，最大因素是技术问题制约。
3. 光刻机怎么制作
光刻机之所以不能独立制作是因为涉及众多顶尖材料部件，需要很多国家合力完成。
以目前全球唯一高端光刻机荷兰阿斯麦尔生产的光刻机来说，该光刻机重达一百八十吨，零件数量约为十万个，并且这些零部件都是全球最先进的，比如美国的极紫外光光源，比如德国蔡司镜头，瑞士的轴承等等，而荷兰阿斯麦尔是将这些领域内最尖端的东西组合在一起，才有了最先进的光刻机。这些目前为止还没有单一国家能做到，包括美国。
4. 造光刻机需要哪些技术
ASML光刻机的光源来自美国一家名叫Cymer公司的光源技术提供商。
5. 如何制作光刻机
如果想达到比光刻机极限尺寸更小的尺寸，有一些比较巧妙的方法，供你参考。第一种，光刻胶刻蚀法。用正胶光刻，光刻胶涂厚点，比如光刻出1.5微米的线条，然后用去胶机(氧等离子体)刻光刻胶，然后光刻图形会缩小，如果吃掉0.5微米的光刻胶，那么就可以做出0.5微米的线条了。第二种，侧墙(spacer)的方法。就是用光刻台阶-保形淀积-刻蚀 形成spacer，一般来说可以做到一二百纳米的线条。第三种，氧化的方法。如果是做Si基的器件，可以先刻蚀出线条，再用热氧化-腐蚀氧化层的方法进一步减小线条尺寸。
这三种方法是研究中比较常见的办法，比较巧妙，但是工艺略微复杂，耗费的精力比较多，器件的稳定性和一致性会有所损失。如果要做更小的尺寸，可以考虑用电子束光刻机，这个比较快出结果，但是花费多一些，光刻面积的效率比较低。