1. 红外光刻机
镜头是将拍摄景物在传感器上成像的器件，相当于相机的“眼睛”，通常由几片透镜组成，光线通过时，镜片们会层层过滤杂光(红外线等)，所以，镜头片数越多，成像就越真实。目前对焦镜头里，都是使用凸透镜和凹透镜的组合，利用光的折射原理，把光导到传感器的成像面上。为了更加镜头解析力与对比度并保证画面质量，给镜头的片数和结构带来了一定的限制，导致镜头的厚度无法做薄，不满足当前设备的轻薄要求。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明实施例为解决现有技术中存在的问题而提供一种光刻镜片的制作方法和镜头。
本发明实施例的技术方案是这样实现的：
一方面，本发明实施例提供一种光刻镜片的制作方法，所述方法包括：
在基材的表面上涂覆光刻材料；
利用光刻掩膜板对光刻材料进行刻蚀；其中，所述光刻掩膜板上具有多个具有预设的形状的掩膜图形，在每一所述掩膜图形上不同位置的透光率不同；
对刻蚀后的光刻材料进行固化处理，得到光刻镜片。
另一方面，本发明实施例提供一种镜头，所述镜头至少包括沿物方到镜方共轴设置的第一镜片、第二镜片和第三镜片，其中：
第一镜片用于将入射光线进行聚光；
第二镜片用于将经过所述第一镜片的入射光进行均匀发散，形成平行于轴向的光；
第三镜片用于将经过第二镜片的入射光进行聚光，使得聚光后的光线照射到感光芯片。
本发明实施例提供一种光刻镜片的制作方法和镜头，其中，首先在基材的表面上涂覆光刻材料；利用光刻掩膜板对光刻材料进行刻蚀；其中，所述光刻掩膜板上具有多个具有预设的形状的掩膜图形，在每一所述掩膜图形上不同位置的透光率不同；对刻蚀后的光刻材料进行固化处理，得到光刻镜片；如此，能够利用光刻技术做出具有一个个小槽的光刻镜片，从而利用小槽引导光路，进而能够减少镜头中镜片的片数，降低镜头的高度。
2. 超紫外线光刻机
曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。
常见光源分为:
可见光：g线：436nm
光刻机（lithography）又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。紫外光（UV），i线：365nm
深紫外光（DUV）,KrF 准分子激光：248 nm, ArF 准分子激光：193 nm
极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm
3. 光电光刻机
光刻机中国能制造，但是精度不如国外。 中国科学院成都光机所和四十五所，能制造接近接触式光刻机。 上海微电子装备有限公司能够制造投影式光刻机。在LED、IC后道和平板显示的微米级光刻机都有不少销量。IC前道光刻机分辨力要求较高，目前只能制造百纳米或几十纳米级别光刻机，而国外已经推出13纳米的光刻机了。 核心技术包括投影物镜、精密运动台和精密测量系统等。对于最先进的光刻机，关键的镜片、传感器和电机等依靠进口。
4. 光刻机 紫外
euv光源目前唯一投入商业应用只有美国西盟科技生产的13.5极紫外光光源。
在阿斯麦尔提供的EUV光刻机中，光源系统来源于美国Cymer（西盟科技），Cymer目前也是ASML下属控股公司。
而其他团队也在研究euv光源的。比如清华大学团队通过探测辐射，研究团队验证了微聚束的形成，随后又验证了SSMB的工作机理。该粒子可以获得光刻机所需要的极紫外（EUV）波段，这为大功率EUV光源的突破提供全新的解决思路。比如美国光源厂商Lyncean公开2千瓦EUV光源设计，完成度95%。
5. 红外线雕刻机
红光激光器和绿光激光器的区别
1、激光波长不同
红光的波长为650-660nm，绿光的波长为532nm，由于其波长不同，导致其颜色不同，性能不同。同功率下，绿光的光线比红光的亮，光柱比红光明显。
2、发光原理不同
红光激光器主要依靠红色的激光二极管进行发光，其结构最简单，只需要一个电池就可以作为能源。绿光激光器使用波长808nm红外激光激发非线性晶体作为发光源，它能产生1064nm红外光，再经倍频产生532nm绿光，属于固体激光。
3、使用范围不同
绿光激光器的使用范围更广，在夜晚，即使是低功率的绿光，由于大气分子的瑞利散射也可以看见，但红光效果就差了很多。绿光激光器和红光激光器都可以用于电子教学、演示文稿，但绿光激光器可以用来指点恒星和星座，而红光激光器就不行了。
4、价格不同
激光产品普通的价格都在一百元以上，红光激光器相对于绿光激光器而言，不管是性能还是用途上，都不如绿光激光器，市场零售价格要低的多，非常适合中低端消费者。
6. 光学 光刻机
光刻机是半导体技术。光刻机是芯片制造中光刻环节的核心设备， 技术含量、价值含量极高。 光刻机涉及系统集成、精密光学、精密运动、精密物料传输、高精度微环境控制等多项先进技术，是所有半导体制造设备中技术含量最高的设备。在整个芯片制造工艺中，几乎每个工艺的实施，都离不开光刻的技术。光刻也是制造芯片的最关键技术，他占芯片制造成本的35%以上。