1. 长春euv极紫外光刻机
暂时没有新突破。
我国目前光刻机最新的是上海微电子去年底通过技术检测和验证的28纳米duv光刻机，预计今年可以量产。对于euv极紫外光光刻机，目前暂时还没有新的突破，像中科院的euv光源、长春国科精密的曝光系统、长春光机所的镜头组目前还无法达到euv等级。
2. 长春光机所EUV光刻机
光刻机镜头尺寸分析如下。
以荷兰阿斯麦尔公司生产的euv光刻机为例，如果按照轴对称非球面加工，该镜片系统口径最大540mm，加工难度非常高。光刻机镜头系统通常由数十块镜头构成物镜系统，其尺寸通常直径一米，长度两米甚至更大。各家光学镜片公司的尺寸不尽相同，但光刻机的镜片远远超过大型望远镜。
3. 中国首台5纳米光刻机
大约1.5亿欧元。
荷兰阿斯麦尔公司的euv光刻机售价大约1.5亿欧元，不过要说明的是并没有5纳米光刻机，euv光刻机目前处于第一代，也就是13.5纳米极紫外光光源波长本身就是euv光刻机的精度，只不过台积电和三星通过技术使其能够加工出5nm芯片甚至更高制程。荷兰阿斯麦尔euv光刻机非常昂贵，每台售价差不多1.5亿欧元。
4. 长春euv极紫外光刻机 进展
初代euv是2010年，真正商用量产机型是2016年。
2010年，阿斯麦公司首次推出概念性EUV光刻系统NXE 3100，从而开启光刻系统的新时代。2013年，阿斯麦推出第二代EUV系统NXE 3300B，但是精度与效率不具备10纳米以下制程的生产效益。2015年，阿斯麦又推出第三代EUV光刻系统NXE 3350。2016年，第一批面向生产制造的EUV系统NXE 3400B开始批量发售，NXE 3400B的光学和机电系统在技术上均有所突破，极紫外光源的波长缩短至13纳米，每小时处理晶圆125片。
5. 长春光机所euv极紫外光
EUV，中文是极紫外光刻。它是光刻技术的一种。
EUV是现在最领先的光刻技术。它以波长为10~14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5纳米。这一技术能够让芯片工艺扩展到32nm以下。
这里提到的极紫外光。据悉，荷兰ASML公司需要以每秒5万次的频率，对液态锡的液滴发射高能激光束才能得到。
6. 中科院研发成功2nm光刻机
2纳米光刻机是荷兰阿斯麦尔的。
目前全球唯一高端光刻机制造商是荷兰阿斯麦尔公司制造的，虽然没有样品，但技术理论上能够达到2纳米芯片制程。目前台湾3纳米芯片仍然采用鳍式场效晶体管（FinFET）架构，台积电2nm改采全新的多桥通道场效晶体管（MBCFET）架构，研发进度超前。三星3纳米已经采用GAA架构。这两家都是用荷兰阿斯麦尔EUV光刻机生产的。