1. 光刻机
大约1.5亿欧元。
荷兰阿斯麦尔公司的euv光刻机售价大约1.5亿欧元，不过要说明的是并没有5纳米光刻机，euv光刻机目前处于第一代，也就是13.5纳米极紫外光光源波长本身就是euv光刻机的精度，只不过台积电和三星通过技术使其能够加工出5nm芯片甚至更高制程。荷兰阿斯麦尔euv光刻机非常昂贵，每台售价差不多1.5亿欧元。
2. 光刻机中国能做到几纳米
可以做到14纳米量产。
国内芯片目前最高可以做到14纳米商业量产阶段。国内制造芯片的最强晶圆代工厂是中芯国际，中芯国际目前可以实现14纳米工艺制程的芯片商业量产。比如华为海思麒麟717A芯片就是中芯国际代工的14纳米芯片。而且中芯国际也能够制造7纳米芯片，不过目前良品率不高无法量产。
3. 光刻机公司排名
中国顶尖光刻机就是上海微电子的，没有其他排名。
我们国家光刻机是以上海微电子装备有限公司（SMEE）和中科院以及武汉光电国家研究中心为代表。SMEE的光刻机目前来说它有四大系列，分别是200系列光刻机、300系列光刻机、500系列光刻机、600系列光刻机。这些系列机器仅能够做出90nm工艺的芯片，与国外先进的7nm工艺，甚至更为先进的5nm工艺的光刻机还差很多。上海微电子预计年底能完成首台28纳米光刻机。
4. 光刻机的工作原理
光刻机的工作原理是要经过硅片表面清洗、烘干、旋涂光刻胶、干燥、对准曝光、去胶、清洗、转移等众多工序完成的。经过一次光刻的芯片还可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片，线路图的层数就越多，而且也需要更精密的曝光控制过程。
光刻机一般是用在激光上，下面以在玻璃上刻蚀图形为基础，介绍光刻机的工作原理：
1、清洗玻璃并烘干，首先准备一块玻璃，玻璃的大小可以根据需要裁减，然后将玻璃清洗干净烘干，备用。
2、在玻璃上涂覆光刻胶，光刻胶有正性和负性之分。
3、干燥，采用固化干燥机让玻璃挥发液体成分，干燥的目的是为了玻璃进一步加工的需要。
4、曝光，曝光的方式有很多种，比如激光直写、通过掩模板同时曝光等都可以。
5、去胶，去胶的方法也很多，比如放在刻蚀剂中，用正性胶的话，被光照到的地方就会被溶解，没有光照到的地方光刻胶保留下来，到这里就已经在光刻胶上刻蚀出了所需图形。
6、清洗，去胶结束后，对玻璃进行清洗。
7、转移，转移的方法也有很多，可以采取离子束轰击，光刻胶和玻璃同时被轰击等等，光刻胶被轰击完后，暴露出来的玻璃也被轰击，就把光刻胶上的图形转移到玻璃上。这样就完成了。
5. 光刻机荷兰ASML
ASML中文名阿斯麦尔，总部设在荷兰的阿姆斯特丹，是全球最大的半导体设备生产制造商之一，在中国也有分公司，但是光刻机作为制造芯片的核心装备世界上只有少数厂家掌握相关技术，阿斯麦尔的技术最先进我国当时考虑买一些，可是美国一直以来就是限制中国发展害怕我们有了好的光刻机设备制造更多高科技产品和军事用途，通过外教途径照会荷兰方面禁止出售相关产品给中国，荷兰是北约成员跟英国，澳大利亚等国一样唯米国老大马首是瞻给该企业下了政令。
6. 光刻机是什么东西
1947年，贝尔实验室发明第一只点接触晶体管。从此光刻技术开始了发展。
1959年，世界上第一架晶体管计算机诞生，提出光刻工艺，仙童半导体研制世界第一个适用单结构硅晶片。
1960年代，仙童提出CMOS IC制造工艺，第一台IC计算机IBM360，并且建立了世界上第一台2英寸集成电路生产线，美国GCA公司开发出光学图形发生器和分布重复精缩机。
1970年代，GCA开发出第一台分布重复投影曝光机，集成电路图形线宽从1.5μm缩小到0.5μm节点。
1980年代，美国SVGL公司开发出第一代步进扫描投影曝光机，集成电路图形线宽从0.5μm缩小到0.35μm节点。
1990年代，Cano着手300mm晶圆曝光机，推出EX3L和5L步进机；ASML推出FPA2500，193nm波长步进扫描曝光机。光学光刻分辨率到达70nm的“极限”。
2000年以来，在光学光刻技术努力突破分辨率“极限”的同时，NGL正在研究，包括极紫外线光刻技术、电子束光刻技术、X射线光刻技术、纳米压印技术等。
与此同时，荷兰光刻机巨头阿斯麦ASML，占据了63%的市场份额，产品集中在中高端的极紫外光刻EUV和深紫外光刻DUV上。
然而在2004年前，尼康是当之无愧的带头大哥，尼康一直将光刻机作为自己的核心产品，也是让日本企业引以为傲的“民族之光”，甚至当年能到尼康从事光刻机的研发一度成为众多日本大好青年的愿景。
再看ASML的基础并不好。从1984年诞生后的20年，ASML就一直是一个谜一样的存在，没有什么人会觉得ASML能够有什么未来，甚至包括他们自己。
早期ASML还叫做ASM，生存无望，之能找人投奔，后来飞利浦动了恻隐之心，在总部大厦旁边的空地上给ASML弄了几个简易厂房，ASML当时很艰苦，能活20年全靠日积月累出来的“销售手艺”。
魔幻的是，这点“手艺”居然成为了日后ASML登顶的关键。
苦苦支撑20年，ASML终于等待了他们第一个贵人——台积电鬼才林本坚，一个可以比肩张忠谋的人物。如果说张忠谋缔造了台积电的前20年，林本坚就为台积电的后二十年挣下了巨大的家当。
林本坚1942年出生于越南，中国台湾人，祖籍广东潮汕。林本坚1970年获得美国俄亥俄州立大学电机工程博士学位，2008年当选美国国家工程学院院士。在加入台积电之前，林本坚在IBM从事成像技术的研发长达22年，是当时世界无二的顶级微影专家。
2000年，林本坚在当时台积电研发长蒋尚义的邀请下加入台积电，开启了真正“彪悍的人生”。
在IBM最后几年，林本坚其实已经看到了傲慢的IBM在微影领域的大厦将倾。他希望IBM能够给予他当时微影部门所研发的X光光刻技术1/10的经费，用来“做点东西”，然而IBM因为其华人的身份，并不打算买账。
后来林本坚回忆说：“我判断到65纳米（干式光刻）阶段时，让我再往前看三代的话，我就已经看不到了。”
于是在众多人陷入X光光刻技术无法自拔的时候，林本坚义无反顾地投入了浸润式光刻技术的研究中。
终于在2002年，已经加入台积电的他研究出以水作为介质的193纳米浸润式光刻技术。也就是在2002年，冥冥之中宣告了过往干式光刻机的死刑。
浸润式光刻技术让摩尔定律继续延伸，后来台积电也因此领先竞争对手超过5年。
然而任何一项颠覆式新技术的出现，总会受到来自于传统势力巨大的阻力。林本坚的浸润式光刻，几乎被尼康、佳能、IBM等所有巨头封杀，尼康甚至向台积电施压，要求雪藏林本坚。
巨头的陨落，总是如出一辙。当年1947年12月，大名鼎鼎的美国贝尔实验室的肖克利（“晶体管之父”）、巴丁和布拉顿共同研制出了一种点接触型的锗晶体管！（三人因此获得了1956年的诺贝尔物理学奖）