1. 紫外光刻机光源要求
最早光刻机的光源是采用汞灯产生的紫外光源(UV:UltravioletLight)，从g-line一直发展到i-line，波长缩小到365nm，实际对应的分辨率大约在200nm以上。
随后，业界采用了准分子激光的深紫外光源(DUV:DeepUltravioletLight)。将波长进一步缩小到ArF的193nm。不过原本接下来打算采用的157nm的F2准分子激光上遇到了一系列技术障碍以后，ArF加浸入技术(ImmersionTechnology)成为了主流。
2. 光刻机紫外光波长
波长从121纳米到10纳米
极紫外光，又称极端紫外线辐射，是指电磁波谱中波长从121纳米到10纳米的电磁辐射。
根据普朗克-爱因斯坦方程，其光子能量从10.25电子伏特到124电子伏特（分别对应于121纳米到10纳米）。
自然现象，如太阳日冕等高温天体，可以产生极紫外光；人工方法，包括：等离子体和同步辐射光源等。
3. 紫外光刻机光源要求多大
光刻用极紫外光是目前最好的光源。
EUV光刻机光源通常指荷兰阿斯麦尔的13.5纳米极紫外光光源，又称极端紫外线辐射，是指电磁波谱中波长从121 纳米到10 纳米的电磁辐射。自然现象，如太阳日冕等高温天体，可以产生极紫外光；人工方法，包括：等离子体和同步辐射光源等。单个皮秒激光脉冲产生140万亿个光子，成为具有极高的亮度且波长完全可调的极紫外自由电子激光光源。目前来说这是能量最高波长最小的纳米级光源。
4. 极紫外光刻光源
极紫外光刻胶（Extreme Ultra-violet），常称作EUV光刻胶，它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm 的紫外线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。
5. 光刻机环境要求
光刻机可以说是目前世界上最精密的仪器之一，光刻机是芯片制造中光刻环节的核心设备， 技术含量、价值含量极高。 光刻机涉及系统集成、精密光学、精密运动、精密物料传输、高精度微环境控制等多项先进技术