1. 光刻机物镜镜头
光刻机分辨率=k1*λ/NA
k1是常数，不同的光刻机k1不同，λ指的是光源波长，NA是物镜的数值孔径，所以光刻机的分辨率就取决于光源波长及物镜的数值孔径，波长越短越好，NA越大越好，这样光刻机分辨率就越高，制程工艺越先进。
2. 光刻机物镜镜头推荐
可以制作芯片
光刻机是芯片制造的核心设备之一。在加工芯片的过程中，光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。
3. 光刻机反射镜
实质上发光光源和反射镜加起来才是。euv光刻机的光源。asml的euv光源，使用的是:DPPEUV光源，利用的是放电形成等离子体，然后辐射出紫外线，取石的紫外线除了euv，含掺杂的有其他波长的光。
光刻机中所使用的反射镜，实际上是镀膜反射镜，在反射时会对光谱进行筛选，多次反射可以更好的净化光谱，得到复合要求的euv。
4. 光刻机物镜系统的作用
光刻需要仪器，叫光刻机！
光源系统、物镜系统、EDA工程、双工件台系统是构成光刻机的四大核心部件。先前我们在双工件台系统、光源系统中已经有所突破，决定逻辑芯片前期技术开发的EDA工程软件系统也被芯和半导体攻破。决定光刻机制程精度，光刻机最核心的物镜系统
5. 光刻机上的镜片
光刻机是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。光刻机生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上，这一过程通过光刻机来实现， 光刻机的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。
第一个条件：光刻机在生产中需要进行 20-30 次的光刻，耗时占到 IC 生产环节的 50%左右，占芯片生产成本的 1/3。
第二个条件：光刻的原理是在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶，再用光线（一般是紫外光、深紫外光、极紫外光）透过掩模照射在硅片表面，被光线照射到的光刻胶会发生反应。
第三个条件：此后用特定溶剂洗去被照射/未被照射的光刻胶， 就实现了电路图从掩模到硅片的转移。
光刻完成后对没有光刻胶保护的硅片部分进行刻蚀，最后洗去剩余光刻胶， 就实现了半导体器件在硅片表面的构建过程。
6. 光刻机物镜镜头怎么选
光刻机的精度主要取决于光源波长、物镜分辨率、双工台精度等。
目前全球唯一高端光刻机制造商是荷兰阿斯麦尔公司生产的euv13.5纳米极紫外光光源光刻机，该光刻机是目前全球精度最高的，这是集合了全球顶尖技术组合而成的，其零部件多达十万个，每年产量不超过五十台，从整机安装调试到开始生产要长达一年时间之久，可见该设备的复杂性，任何一个环节出现问题都足以影响该设备的精度。而且13.5纳米的光源属于第五代，和中端193纳米光源的第四代精度相差巨大，所以光源作为最主要的核心部件之一，对精度有决定性影响。再有就是物镜的分辨率，物镜可以达到高2米直径1米，甚至更大。光刻机的整个曝光光学系统，由数十块锅底大的镜片串联组成，其光学零件精度控制在几个纳米以内，目前光刻机镜头最强大的是老牌光学仪器公司德国蔡司，其制造的物镜分辨率是全球第一的。