1. 无掩膜光刻机之父
光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫MaskAlignmentSystem。目前，世界上能制造光刻机的国家有荷兰、日本、德国和中国。
目前能制造高端光刻机的厂家有：荷兰ASML，日本Nikon，日本Canon，以及上海微电子装备和德国的欧泰克
2. 无掩膜光刻机 新诺
光刻机是生产芯片用的专用设备，又名掩膜对准曝光机，曝光系统，常用的光刻机是掩膜对准光刻 ，一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干，涂底，旋涂光刻胶，软烘，对准曝光，后烘，显影，刻蚀等工序。专利年限，发明专利的期限为20年，实用新型专利权和外观设计专利权为10年，均申请日起计算。
3. 无掩膜光刻机价格
在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并精确定位，以便用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构，称为光刻掩模版。 半导体集成电路制作过程通常需要经过多次光刻工艺，在半导体晶体表面的介质层上开凿各种掺杂窗口、电极接触孔或在导电层上刻蚀金属互连图形。
光刻工艺需要一整套（几块多至十几块）相互间能精确套准的、具有特定几何图形的光复印掩蔽模版。
4. 无掩膜光刻机国产哪个品牌好
5n川光刻机和刻蚀机的区别主要表现在三个方面:
一、难度:光刻机难，刻蚀机难。
原理:光刻机打印图纸，刻蚀机根据打印的图案蚀刻掉有图案/无图片的部分，剩下的留下。
第三，流程操作不同
(1)掩模版对准:利用光化学反应原理和化学物理刻蚀方法，将掩模版上的电路图形转移到单晶的表面或介质层上，形成有效的图形窗口或功能图形。在晶圆表面，电路设计图案直接由光刻技术决定，因此光刻技术也是芯片制造中的核心环节。
(2)、刻蚀机:通过化学和物理的方法，将显影后的电路图永久准确地留在晶圆上，选择性地去除硅片上不需要的材料。有两种蚀刻方法，湿法蚀刻和干法蚀刻。
光刻机又称掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等。
通常，光刻工艺须经历清洗和干燥硅片表面、涂底漆、旋涂光刻胶、软烘烤、对准曝光、后烘烤、显影、硬烘烤和蚀刻的过程。
刻蚀机等离子，又称等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子刻蚀机、等离子表面处理器、等离子清洗系统等。
等离子蚀刻是较常见的干法蚀刻形式。其原理是暴露在电子区的气体形成等离子体，产生的电离气体和释放的高能电子组成的气体形成等离子体或离子。当电离的气体原子被电场加速时，它们会释放出足够的力，紧紧地附着在材料上，或者利用表面斥力刻蚀表面。
5. 无掩膜光刻机缺点
因为华为没有光刻机，虽然华为很尖端也在很多领域很先进，但华为还没有能力生产光刻机，但华为正在研究石墨芯片只要成功将有望远超荷兰阿斯麦光刻机。
光刻机（Mask Aligner）是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。其分为两种，一种是模板与图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴晶圆；另一种是利用类似投影机原理的stepper，获得比模板更小的曝光图样。高端光刻机被称为“现代光学工业之花”，制造难度很大，全世界只有少数几家公司能制造。
中文名
光刻机
外文名
Mask Aligner
别名
掩模对准曝光机
光源波长
350 nm -450 nm
作用
用光制作一个图形