一、我国有光刻机
1.双工件台华卓精科自2012年成立，用了10年的时间，在双工件台技术方面，取得了重大突破。2016年，华卓精科与清华大学共同研制出两套光刻机双工件台掩膜台系统α样机，并成功通过验收。2020年4月，华卓精科向上海微电子发货首台DWS双工件台，应用制程达到65nm；2021年6月，完成28nm制程ArFi光刻机的DWSi系列双工件台的详细设计，已在样机制造集成调试阶段。这项技术的重要性，不言而喻，加上华卓精科全世界只有两家拥有该技术。因此，攻破双工件台技术的壁垒，不仅打破了国外的技术垄断，更为国产光刻机的研发提供了技术保证。
2.光源系统技术国内研究光刻机的光源系统技术，属北京科益虹源最为成熟，也成功掌握了193nm ArF准分子激光器制造，可用于28nmDUV光刻机上。
二、国产最新光刻机
最大尺寸为28纳米。
首先要说，光刻机不是论最大尺寸的，而是论纳米制程的，不是越大越好，而是工艺制程越小越好。国产光刻机目前可商业化量产的为上海微电子90纳米光刻机，而在去年上海微电子28纳米光刻机通过了技术检测和验证，预计今年可以量产。所以国产光刻机最大尺寸是28纳米。
三、我国有光刻机吗
中国顶尖光刻机就是上海微电子的，没有其他排名。
我们国家光刻机是以上海微电子装备有限公司（SMEE）和中科院以及武汉光电国家研究中心为代表。SMEE的光刻机目前来说它有四大系列，分别是200系列光刻机、300系列光刻机、500系列光刻机、600系列光刻机。这些系列机器仅能够做出90nm工艺的芯片，与国外先进的7nm工艺，甚至更为先进的5nm工艺的光刻机还差很多。上海微电子预计年底能完成首台28纳米光刻机。
四、光刻机最新消息
液晶面板厂需要光刻机。
要实现图像制作和屏幕显示的最终目的，光刻机需要在液晶屏幕上获取图像，之后由专门设计的半导体光刻机将图像进行光刻复制，然后利用光刻机上的激光直接将光刻件处理成带有图案的smd芯片，这样光刻机才能将图形信息刻入到cmos芯片上。
五、光刻机是干什么用的
一般来说是用激光。比如说要在玻璃上刻蚀图形，大致步骤为:清洗玻璃、干燥、在玻璃上涂覆光致抗蚀剂(即光刻胶有正性和负性之分)、干燥(固化)、曝光(方式很多，如激光直写、通过掩模板同时曝光等)、去胶(光刻胶曝光后性质发生光化学变化，去胶的方法也很多，如放在刻蚀剂中，用正性胶的话，被光照到的地方就会被溶解，没有光照到的地方光刻胶保留下来，到这里就已经在光刻胶上刻蚀出了所需图形)、清洗、转移(方法更多，如离子束轰击，光刻胶和玻璃同时被轰击，光刻胶被轰击完后，暴露出来的玻璃也被轰击，就把光刻胶上的图形转移到玻璃上)。实际上，光刻的方法和具体步骤相当复杂，对环境要求也非常高，以上只是基本步骤，让你大致了解而已。
六、光刻机哪个国家的最好
拥有光刻机专利的有很多国家，比如美国、荷兰、德国、日本、韩国以及中国。
能制造光刻机的国家非常少，但有光刻机专利的国家还是很多的。比如全球唯一euv光刻机是由近十万个零部件组成的，其技术和资金来自四十个国家，以荷兰美德日韩以及台积电为主，其中大部分设备专利为美国所有，大部分加工专利为台积电和三星所有。而我国也有光刻机专利技术，上海微电子拥有2400项光刻机技术专利。
七、什么是光刻机
1947年，贝尔实验室发明第一只点接触晶体管。从此光刻技术开始了发展。
1959年，世界上第一架晶体管计算机诞生，提出光刻工艺，仙童半导体研制世界第一个适用单结构硅晶片。
1960年代，仙童提出CMOS IC制造工艺，第一台IC计算机IBM360，并且建立了世界上第一台2英寸集成电路生产线，美国GCA公司开发出光学图形发生器和分布重复精缩机。
1970年代，GCA开发出第一台分布重复投影曝光机，集成电路图形线宽从1.5μm缩小到0.5μm节点。
1980年代，美国SVGL公司开发出第一代步进扫描投影曝光机，集成电路图形线宽从0.5μm缩小到0.35μm节点。
1990年代，Cano着手300mm晶圆曝光机，推出EX3L和5L步进机；ASML推出FPA2500，193nm波长步进扫描曝光机。光学光刻分辨率到达70nm的“极限”。
2000年以来，在光学光刻技术努力突破分辨率“极限”的同时，NGL正在研究，包括极紫外线光刻技术、电子束光刻技术、X射线光刻技术、纳米压印技术等。
与此同时，荷兰光刻机巨头阿斯麦ASML，占据了63%的市场份额，产品集中在中高端的极紫外光刻EUV和深紫外光刻DUV上。
然而在2004年前，尼康是当之无愧的带头大哥，尼康一直将光刻机作为自己的核心产品，也是让日本企业引以为傲的“民族之光”，甚至当年能到尼康从事光刻机的研发一度成为众多日本大好青年的愿景。
再看ASML的基础并不好。从1984年诞生后的20年，ASML就一直是一个谜一样的存在，没有什么人会觉得ASML能够有什么未来，甚至包括他们自己。
早期ASML还叫做ASM，生存无望，之能找人投奔，后来飞利浦动了恻隐之心，在总部大厦旁边的空地上给ASML弄了几个简易厂房，ASML当时很艰苦，能活20年全靠日积月累出来的“销售手艺”。
魔幻的是，这点“手艺”居然成为了日后ASML登顶的关键。
苦苦支撑20年，ASML终于等待了他们第一个贵人——台积电鬼才林本坚，一个可以比肩张忠谋的人物。如果说张忠谋缔造了台积电的前20年，林本坚就为台积电的后二十年挣下了巨大的家当。
林本坚1942年出生于越南，中国台湾人，祖籍广东潮汕。林本坚1970年获得美国俄亥俄州立大学电机工程博士学位，2008年当选美国国家工程学院院士。在加入台积电之前，林本坚在IBM从事成像技术的研发长达22年，是当时世界无二的顶级微影专家。
2000年，林本坚在当时台积电研发长蒋尚义的邀请下加入台积电，开启了真正“彪悍的人生”。
在IBM最后几年，林本坚其实已经看到了傲慢的IBM在微影领域的大厦将倾。他希望IBM能够给予他当时微影部门所研发的X光光刻技术1/10的经费，用来“做点东西”，然而IBM因为其华人的身份，并不打算买账。
后来林本坚回忆说：“我判断到65纳米（干式光刻）阶段时，让我再往前看三代的话，我就已经看不到了。”
于是在众多人陷入X光光刻技术无法自拔的时候，林本坚义无反顾地投入了浸润式光刻技术的研究中。
终于在2002年，已经加入台积电的他研究出以水作为介质的193纳米浸润式光刻技术。也就是在2002年，冥冥之中宣告了过往干式光刻机的死刑。
浸润式光刻技术让摩尔定律继续延伸，后来台积电也因此领先竞争对手超过5年。
然而任何一项颠覆式新技术的出现，总会受到来自于传统势力巨大的阻力。林本坚的浸润式光刻，几乎被尼康、佳能、IBM等所有巨头封杀，尼康甚至向台积电施压，要求雪藏林本坚。
巨头的陨落，总是如出一辙。当年1947年12月，大名鼎鼎的美国贝尔实验室的肖克利（“晶体管之父”）、巴丁和布拉顿共同研制出了一种点接触型的锗晶体管！（三人因此获得了1956年的诺贝尔物理学奖）