一、后道光刻机差距
封测光刻机跟平常我们常提的光刻机不一样，属于后道光刻机。
后道光刻的精度要求远低于前道光刻的要求，因此封测光刻机制造相对容易，我国上海微电子在封测光刻机方面非常领先。目前，上海微电子封测光刻机在国内市场的份额达到80%左右，全球市场也占40%。
光刻机除了按光源的先进程度分为EUV、DUV、UV外，按用途还可以分为芯片制造用的前道光刻机和封测用的后道光刻机。
二、光刻机技术有多难
曾经有一位美国工程师是这样评价光刻机的，他说：“光是光刻机上的一个小零件，工程师就需要调整高达十年之久，就连尺寸的调整就要高达百万次以上。
三、中国光刻机差距到底有多大
不是，其实我国早在上个世纪60年代就开始研究光刻机，并且在1965年就研制出65型接触式光刻机。70年代开始，中国科学院就开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。1980年中国清华大学研制的第四代分布式投影光刻机获得成功，将光刻精度缩小至3微米。别看3微米相比如今7nm的制程工艺相差甚远，但在那个年代已经接近国际主流水平
四、光刻机到底有多复杂
答:
朝鲜目前还不能生产光刻机。
在芯片制造中，光刻机是无法绕开的核心设备。利用紫外线除去晶圆表面的保护膜，完成这一步骤的机器就是光刻机。我们可以将光刻机理解成一个成像设备，它将光源照射到设置好的图像，通过成像系统把电路图形精确复制到晶圆上，制造出芯片所需的图形和功能区。
看似简单的原理，背后却是纳米级别的精确度。这一纳米一纳米的精度，很多国家都没有办法逾越。
五、光刻机前道和后道
比较高，但不是最高。
4nm手机芯片封装技术属于高端芯片的封装技术，但在整个芯片制造环节中属于后道工序，技术程度远不如前道光刻技术。芯片封装就是给加工好的芯片增加保护壳、固定密封、电路引脚。一部前道euv光刻机重量达到180吨，价格十几亿，而封装设备也就几吨，价格几千万，两者相差非常大，所以封装技术相对来说不是太高。
六、光刻机最难的部分
就算是28nm光刻机，也是一套很复杂的设备，精密度也是很高的，开发不成功也是很正常的，只能说我们在精密工业领域还不成熟。
精密制造向来是我们的短板，而光刻机是需要各个零部件都是非常精密的，凭一国的技术很难成功，当前荷兰的光刻机是世界领先的，但也是世界各国最尖端科技的结晶
七、前道光刻机与后道光刻机的差异
光刻机的精度和难度的要求都比刻蚀机高出很多,在需要光刻机加工的时候刻蚀机有些不能办到,并且刻蚀机的精度十分笼统,而光刻机对精度的要求非常高.关于光刻机，主要分为前道光刻机和后道光刻机。
前道光刻机是芯片制造过程中使用，就是把高纯硅做成的一大片圆形的晶圆上通过光刻机刻出一个一个的芯片。
后道光刻机就是把芯片用陶瓷或者树脂等封装起来。
八、光刻机最大的难点
估计要8年，因为目前我们能量产的只有28nm光刻机，14nm光刻机2年可量产，目前光刻机的辅助部分我们已基本掌握，核心部件的攻关用8年时间是完全没有问题的。所以说如果不出意外，8年内做到7nm光刻机量产是完全没有什么问题的。