一、光刻机激光光源
光刻机一般是用惰性气体激光。
光刻机通常是用惰性气体产生的准分子激光，准分子激光是一个冷的紫外光，它是准分子产生的激光，就是一种准分子物质。这种物质叫二聚体气体，这种气体在强烈的一些电厂的照射下，它会产生一种紫外光，这种紫外光，叫准分子激光，这种准分子是一种相当不稳定的物质，它稍纵即逝，我们称它为准分子。光子能量波长范围为157－353纳米，寿命为几十毫微秒。阿斯麦尔的EUV光刻机用的是CO2产生激光，再轰击锡滴产生13.5纳米的极紫外光。
二、光刻机激光技术
最大区别是光刻机是投影，激光雕刻机是直写刻印。
光刻机和激光雕刻机最显著的区别是，光刻机是用激光轰击锡滴产生极紫外光，以此为光源照射掩膜板利用光刻胶和蚀刻技术、离子注入等技术，把芯片腐蚀和填充出芯片。而激光雕刻机就是直接靠激光的能量直接烧蚀材料。光刻机是非接触看投影等手段，激光雕刻机是直接接触材质。
三、光学 光刻机
没有显微镜，只有物镜镜头组。
光刻机里面没有显微镜，那叫物镜或镜头组。光刻机物镜是光刻机的核心光学元件，负责将电路图案放大投影到晶圆上。为了满足EUV光刻机的要求，镜头要经过超精密抛光，达到原子级别的的加工精度，挑战着超精密加工能力的极限。最新一代的EUV光刻机反射镜最大直径1.2米，面形精度峰谷值0.12纳米，表面粗糙度20皮米（=0.02纳米=0.2埃），也就是说达到了原子级别的平坦，这种程度的物镜远不是显微镜能相提并论的。
四、激光光刻设备
因为x射线具有穿透力,而穿透力产生的折射会浪费大量的能量,致使光刻机效率低下,甚至无法工作,所以不用x射线。
目前最顶尖的光刻机的光源波长达到13.5nm，被称为极紫外光（EUV）。想激发出极致波长的光源，自然需要极致的办法。
光刻机采用的方法是激光等离子体型光源，即利用高功率的激光击打金属锡，产生高温高密度的等离子体，辐射出极紫外光
五、光刻机激光光源的作用
光刻用极紫外光是目前最好的光源。
EUV光刻机光源通常指荷兰阿斯麦尔的13.5纳米极紫外光光源，又称极端紫外线辐射，是指电磁波谱中波长从121 纳米到10 纳米的电磁辐射。自然现象，如太阳日冕等高温天体，可以产生极紫外光；人工方法，包括：等离子体和同步辐射光源等。单个皮秒激光脉冲产生140万亿个光子，成为具有极高的亮度且波长完全可调的极紫外自由电子激光光源。目前来说这是能量最高波长最小的纳米级光源。
六、光刻机 光源
光刻机光源最细是13.5纳米。
全球光刻机唯一最高端的是荷兰阿斯麦尔制造的以上算13.5纳米光源的光刻机。该光刻机集合了四十个国家历时二十年才制造完成，其零部件多达十万个，重量高达一百八十吨。其所采用的光源为极紫外光光源，光源精度达到13.5纳米，一纳米相当于头发丝的六万分之一，所以该光源大致等于头发丝的五千分之一宽度。
七、光刻机激光光源供应商
该公司没有光刻机。
晶瑞电材并没有购买过光刻机，晶瑞电材是一家集研发、生产和销售于一体的科技型新材料公司，为国内外新兴科技领域提供关键材料和技术服务。主要产品包括超净高纯试剂、光刻胶、功能性材料、锂电池材料等。晶瑞电材与半导体相关的主要是光刻胶，是芯片厂的原材料供应商，并不负责制造芯片，所以晶瑞电材没有光刻机。
八、光刻机激光头
光刻机和刻蚀机的区别主要表现为3各个方面：
一、难易度：光刻机难度大，刻蚀机难度小。
二、原理：光刻机把图案印上去，刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案/无图的部分，留下剩余的部分。
三、工艺操作不同（1）、光刻机：利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将掩膜版上的电路图形传递到单晶的表面或介质层上，形成有效的图形窗口或功能图形。由于在晶圆的表面上，电路设计图案直接由光刻技术决定，因此光刻工艺也是芯片制造中最核心的环节。（2）、刻蚀机：用化学和物理方法，在经显影后的电路图永久和精确地留在晶圆上，选择性的去除硅片上不需要的材料。刻蚀工艺的方法有两大类，湿法蚀刻和干法蚀刻。