1. 俄罗斯光刻机多少纳米
28nm浸液式光刻机实际是193nm光源的DUV光刻机，以水为界质缩小光源波长。
这里的“28nm光刻机”的叫法不是正确的叫法，而是193纳米ArF浸润式光刻机，其指的只是能够被用来制造出28纳米芯片的光刻机，而且爆料称该光刻机能够制造出7纳米的芯片。但又因为美国的半导体产业的制裁，该光刻机在批量生产的过程中遭到了延迟。ArFi就是浸润式ArF，也被称为DUV。这次大家寄予厚望的就是ArFi，国际上一般用于28nm及以上制程，所以这可能是其被称为“28nm光刻机”的原因。但ArFi上FinFET工艺可以做到14nm，再上多重曝光可以做到近似于7nm。
2. 外国光刻机几纳米
印度没有光刻机。
光刻机涉及多学科多专业门类,印度工业基础不行,许多工业专业生产都不能完成,光刻机又要求专业高度精密先进,印度根本无法独自完成。
极紫外线光刻机是芯片生产工具，是生产大规模集成电路的核心设备，对芯片工艺有着决定性的影响。小于5纳米的芯片晶圆，只能用EUV光刻机生产。目前荷兰是全世界光刻机制造最领先的国家。
3. 德国光刻机多少纳米
光刻机是芯片制造过程中的重要机器，光刻机的先进程度决定了芯片的质量。而世界上最顶尖光刻机仍旧是荷兰的ASML掌握，ASML占有了全球超过80％的市场份额，并且单台7nm光刻机售价已经超过了6亿美元。
我国光刻机现状
我国光刻机最高技术仍旧是上海微电子研究所的90nm工艺，它的SMEE200系列光刻机、300系列光刻机、500系列光刻机、600系列光刻机只能够达到90nm工艺水平。而像江苏无锡影幻半导体公司、合肥芯硕半导体公司都只能够拥有200nm工艺的光刻机量产能力。
表面上来看90nm与28纳米以下工艺差不了多少，事实上它们确实天差地别。为什么要这样去说？可以来看这样一句话：光刻机堪称人类智慧集大成的产物，它被称为现代光学工业之花。从这一句话就可以知道，光刻机技术有多难突破。
有一年上海微电子装备公司总经理贺荣明去德国考察时，那里的工程师这样对他说，就算我们给你们全套的图纸，你们仍旧做不出来先进的光刻机。（这一点与当初的苏联政府对我国态度比较相似）
为什么他们敢这样说？并不是瞧不起，而是因为一台光刻机它的内部由几万个精密零件、几百个执行器传感器、千万行代码组成的超复杂思维系统，它的内部器件运动精度误差不超过一根头发丝的千分之一。这就像坐在一架超音速飞行的飞机上时，拿着线头穿进另一架飞机上的针孔。
为什么荷兰能够做出如此高工艺光刻机
1、美国和一些欧盟国家支持
荷兰ASML光刻机的发展离不开美国和欧盟国家的支持，例如德国给它提供了先进的机械工艺以及蔡司镜头，而在光刻机光源方面，是由美国进行提供。蔡司镜头大家都知道，技术封闭相当的严重。据说蔡司工厂，祖孙三代在同一家公司的同一个职位，技术根本不外传，镜片材质要做到均匀，需几十年到上百十年技术积淀。
4. 俄罗斯光刻机多少纳米了
最高4纳米。
光刻机本身最高的应该是euv极紫外光光源波长的光刻机，其波长为13.5纳米。用euv光刻机可以制造22纳米以下制程的芯片，目前最高可商业量产芯片的制程为4纳米，分别是高通骁龙8移动平台系列和联发科天玑9000。而未商业量产阶段的芯片最高可以到3纳米制程。
5. 中国的光刻机是多少纳米
能量产14纳米芯片。2022年中国光刻机能生产14纳米芯片。目前我国芯片制造工厂最高可以批量生产14纳米芯片，而技术上可以生产7纳米芯片，不过目前良品率不高无法量产。
6. 中国进口的光刻机是几纳米的
一支由清华大学机械工程系朱煜教授带队的清华大学研发团队，客服重重困难自主研发出了光刻机双工件台，这是中国光刻机再获得的一个重大突破。要知道光刻机制造的过程中，难度最大的就是双工件台的制造，毕竟双工件台是光刻机的两大核心部件之一，就连日本都没研发出来。有了双工件台就可以大大提高生产芯片的速度，这一成果让中国成为了世界上第二个可以生产双工件台的国家。虽然只是一个小小的成就和突破，但是也代表了中国企业发展芯片的决心，同时还显示出我国强大的自主科研能力，这一突破是中国光刻机领域的一小步，也是中国芯的一大步！
7. 俄罗斯的光刻机
可以用。
俄罗斯是拥有光刻机生产能力的，俄罗斯在这方面还是有一定实力的，比如光刻机中的准分子激光器就是俄罗斯发明的。不过俄罗斯的光刻机属于直写式光刻机，而不是目前常见的投影式光刻机，这种激光直写式光刻机工作效率要低很多，不利于量产芯片。不过终归俄罗斯光刻机是能用的。